天线的近场直接调制.PDFVIP

IEEE microwave magazine February 2009 36 天线的近场 直接调制 Aydin Babakhani, David B. Rutledge, Ali Hajimiri 基于硅片技术的现代化工艺通过使晶体管的截止频率 fT可以高于 200GHz 而为设计高度集成化的毫米波系 统开辟了众多的机会[1]-[5]。在毫米波频率上，波长 与芯片的尺寸相当。这便启发人们将辐射元件与有源 电路器件在同一块硅片上进行集成。虽然，将毫米波 系统集成在硅基片上降低了成本，改善了可靠性，但 还是必须要致力于所面临的一些挑战[[1]，[2]。由于 制造有源器件所施加的一些限制，硅基片的基片电阻 率必须非常小（~1-10?cm）。这种低电阻率会使得 在基片上产生能量损耗，降低了未经屏蔽的在片无源 器件如电感器，传输线，和天线的品质因数 Q，从而 导致了功率效率和抗噪声性能的劣化。金属结构有限 的导电率会在集成系统中引起更进一步的能量损耗， 因为在毫米波频率上，趋肤深度变得很小（例如，在 60GHz时，铜的趋肤深度大约是 300nm），金属结构 中的欧姆损耗明显地提高了，使得无源器件的性能变 差。 随着晶体管变得越来越小，速度越来越快，它们 的击穿电压变得很低，从而在集成系统中为功率的产 生带来一个重大的挑战。不再要求具有高电压摆幅的 单个放大器模块，更有前途的方法是将多个具有较小 电压摆幅的放大器单元并联连接，将它们各自的输出 功率进行合成。 将许多高性能晶体管和与波长尺寸相当的用于在 片辐射器的在片金属结构组合起来，正在使毫米波和 亚毫米波收发机和天线设计发生着革命性的变化。 在这篇文章中，我们讨论了毫米波集成天线的设 计，介绍了天线近场直接调制 ( NFDAM )， 以及基于 NFDAM的用于概念验证的 60GHz芯片的实施情况。 毫米波集成天线 在硅基片上设计在片天线的一个主要挑战是硅的高介电 常数（εr = 11.7）。为了理解介电常数的重要性，将一个 简单的偶极天线放置在空气和介质的半无穷大区域边缘， __________________________________________________________________________________ Aydin Babakhani, David B. Rutledge, and Ali Hajimiri are with California Institute of Technology, Pasadena, California 91125 USA. ?EYEWIRE 36 IEEE microwave magazine February 2009 February 2009 IEEE microwave magazine 37 如图1所示。耦合到空气和介质中的功率百分比描绘在 图2中。曲线结果表明当硅基片的介电常数εr = 11.7时， 95%以上的能量被辐射进入了硅片而不是空气中。 为了避免将信号耦合进入硅基片，采用接地平面似 乎有可能解决这个问题。有两种途径，一种途径是采用 最底层的金属层（例如M1）来作为在片接地平面，而将 在片天线放在最顶部的金属层上。遗憾的是，在今天的 工艺技术条件下，最顶部和最底部金属层的距离只有几 个微米。这么小的距离几乎会使天线短路，将其效率降 到了4~5%以下[1]。另一种实现接地面屏蔽的方式是将 一个脱离芯片的金属层放置在硅基片的背面。在这种情 况下，由于芯片的形状是矩形的，并且其厚度为几百微 米，偶极天线的大部分能量被耦合进入基片模中了。进 入基片模中相当大部分的能量是以热的形式耗散的，其 余的被导入芯片边缘，这通常会导致所不期望的辐射图 [1]。为了避免这些问题以及将耦合到基片模的功率减到 最小，将一个具有与基片介电常数相近的半球形介质透 镜放置在硅基片的背面[6]-[14]。透镜将基片模组合，将 其转换为有用的辐射功率，见图3。 为了测量天线的辐射图，一个 W