19电子(第11章半导体器件,放大器静态和动态分析)T68.pptVIP

第11章 半导体器件 11.4.3 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB USC USB 实验线路(共发射极接法) C B E RC IB 与UBE的关系曲线（同二极管） （1）输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V 死区电压，硅管0.5V 工作压降： 硅管UBE ? 0.7V （2）输出特性(IC与UCE的关系曲线) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 40?A 60?A Q Q’ ? = IC / IB =2 mA/ 40?A=50 ? = ? IC / ? IB =(3-2)mA/(60-40) ?A=50 ? = IC / IB =3 mA/ 60?A=50 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB 。此区域称为线性放大区。 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 此区域中 : IB=0 , IC=ICEO , UBE 死区电压,，称为截止区。 输出特性三个区域的特点: (1) 放大区 IC=?IB , 且 ? IC = ? ?