镀膜超纯水设备.半导体制程技术导论概要.PDF

镀膜超纯水设备.半导体制程技术导论概要水处理设备工程 镀膜超纯水设备.半导体制程技术导论概要 镀膜超纯水设备.半导体制程技术导论概要 第一章 导论 ●第一个晶体管是由威廉?肖克莱、约翰?巴定和华特?布莱登所出现的。 ●杰克?克毕和罗伯特?诺宜斯协同出现了集成电路o ●分离式组件是繁多的电子组件，如电阻器、电容器、二极管，或晶体管。一个集成电路组件是建立在同一块基片上的效力电路，其内包罗了许多电子组件o ●摩尔定律预测芯片上的零组件数目以每12个月到18个月生长一倍，但代价维持不变。 ●借着缩小图形尺寸，芯片尺寸会绝对缩小，这使得每片晶圆上可包容更多的芯片。又藉由增加晶圆的尺寸，簿片晶圆就能发生更多的芯片。这两种方式均可使集成电路芯片制造厂获取更多的成本。 第二章 集成电路临盆的简介 ●整个良率是指议定末了测试的杰出芯片(Good Chips)总数与用于临盆之一齐晶圆上的晶粒(Dies)总数的比值。 ●良率决策一座IC芯片临盆工厂是赔钱还是赢利。 ●无尘室是一个可以掌控的环境。其透过氛围过滤器以及对气流、气压、温度和湿度的节制，可让氛围中的微粒浓度无间连结在很低的状态。 ●肃穆遵从无尘室的协议楷模是很严重的，镀膜超纯水设备。这样才可以低落会影响芯片良率及工厂成本的氛围微粒和净化物。 ●一座IC临盆工厂通常具有光学区间、分散区间、离子布植区间、蚀刻区间、薄膜区间、化学机械研磨(CMP)区间和湿式区间。 ●制程区是一个高阶无尘室，其由数个制程区间所组成。概要。对制造一个0.25微米图形尺寸的IC芯片而言，制程区即必要一个Clbumm 1的无尘室;而设备区只 必要一个造价与维修费用更低的Clbumm 1000无尘室。线性气流层可以补助无尘室抵达比Clbumml00更佳的成绩。扰动气流只能用在Clbumml000的无尘室中。 ●在IC临盆中普遍地使用气体轮送体例、超纯水体例、配电体例、帮浦和排放体例，以及射频功率发生体例。 ●芯片封装可以对IC芯片提供物理的及化学的袒护；它能提供细金属线在一个坚实的承座上连接芯片和引线尖端;并且散失芯片就业时所发生的热量。 ●与塑料封装相比，陶磁封装对化学的和湿气的净化可提供较好的防护，且可以取得较佳的物感性袒护。陶磁封装也具有较佳的热稳定性及较高的导热性。塑料封装的主要上风是其具有极低的本钱，现今多半的IC芯片都采用塑料封装。 ●尺度的打线接合(Wire Bonding)是采用极细的金属(金)线来连接芯片的接合垫片与引线尖端的接合垫片。覆晶接合技术则以凸块接合来连接芯片及引线尖端。 ●在尺度的打线接合封装制程里，密封芯片步伐的温度该当低到不敷以影响打线接合及芯片附着。半导体。打线接合的温度不应影响到芯片附着，而芯片附着的温度则受限于铝的熔点。 ●在最终测试阶段，已封装的芯片需经过各种晦气环境的测试：例如低温、高加快度、高湿度等，以使不靠得住的芯片在送交客户之前即可延迟发现。 第三章 半导体的基础 ●半导体是导电率介于导体和介电质之间的质料，他们的导电率能以掺杂物的浓度和所施加的电压来节制。 ●硅、错和砷化铵是最常用的半导体质料。技术。 ●P型半导体的掺杂原子来自元素周期表的第ⅡIA栏，以硼为主，以电洞为多半载子o ●N型半导体的掺杂原子来自元素周期表的第VA栏，以磷、砷和锑为主，以电子为多半载体。 ●掺杂物的浓度越高，则半导体的电阻系数就越低。 ●电子的搬动速度要此电洞快，以是当掺杂物浓度类似时，N型硅的电阻系数会此P型硅的电阻系数要低。 超纯水设备:EDI超纯水设备操作说明-沈阳EDI纯水设备-浑南电子超纯●电阻器主要是以多晶硅制造而成的，其电阻取决于多晶硅导线(Poly Line)的几何形势和掺杂物的浓度。 ●电容器在DRAM上被用来积聚电荷和连结数据追思o ●双载子晶体管能缩小电流，小型净化水设备。他们也能当作电闸使用o ●MOSFET会因不同的闸极偏压而封闭和封闭o ●从1980年起，以MOSFET为基础的IC芯片就主导着半导体产业，其市场占领率仍一连增加o ●内存、微办理器和ASIC芯片是半导体产业中最常制造的三种IC芯片。 ●CMOS的优点在于耗电量低、热量发生较低、噪声的免疫才干以及时序的简化。 ●CMOS的根本制程步伐包括了晶圆准备办理、井区变成、绝缘变成、晶体管制造\联机和钝化作用。edi超纯水设备。 ●根本的半导体制程为增加、移除、加热办理和图案化o 第四章 晶圆制造 ●硅是一种不高贵的半导体质料，而二氧化硅是很简陋生长的，它也是一种坚实且稳定的介电质。 ●lt;100gt;和lt;111gt;是最常使用的硅晶体方向o ●晶圆的制造经过是将砂(二氧化硅)转变成冶金级硅(MGS)，冶金级硅转变成三氯硅