！#纳米线双绝缘层结构电致发光器件制备及特性研究！.PDFVIP

!# 纳米线双绝缘层结构电致发光器件 制备及特性研究! 常艳玲 张琦锋! 孙 晖 吴锦雷 （北京大学信息科学技术学院，纳米器件物理与化学教育部重点实验室，北京 ##$% ） （ ##’ 年 ’ 月 % 日收到； ##’ 年 月 ( 日收到修改稿） 在利用液相法生长 )*+ 纳米线薄膜的基础上，构造成功基于 )*+ 纳米线双绝缘层结构的交流电致发光器件 , 此器件呈现出良好的阻容特性，在室温下以一定频率的交流电压驱动，可观察到近紫外波段 ($% *- 处和可见光波 段 .. *- 处的发射谱带 , 从阻容结构的导电特性及 )*+ 纳米线材料的能带结构等方面探讨了这种器件的电致发光 机理及频率特性 , 关键词： )*+ ，纳米线，电致发光 $% ： %$#/ ， %$’#0 ! 国家重点基础研究发展规划（批准号： ##12’#.#( ）、国家自然科学基金（批准号： ’#3%##% ， ’#3%##$ ， 4#3#’#3 ， .#’%## ）和北京市自 然科学基金（批准号： 3#3#% ）资助的课题 , ! 通讯联系人 , /5-678 ： 9:;6*=?@A, BCA, D* E 引 言 )*+ 半导体材料因其优越的光电特性可以用来 制作各种光电子器件，例如光波导器件［］、声光器 件［］、表面声波传感器［(］等 , 特别是由于室温下 )*+ 半导体材料的禁带宽度为 (E(% BF ，激子束缚能为 ’# -BF ，因此它是一种理想的构造室温低阈值短波 长发光器件［3—#］的材料 , 人们已经探索出多种 )*+ 纳米结构的制备方法，并且通过多种表征手段发现 )*+ 纳米线不仅具有完善的单晶结构和六角柱形几 何形貌，而且 )*+ 取向附生膜和单晶 )*+ 纳米线均 可以表现出良好的光电特性［—3］，因此 )*+ 纳米 线十分有希望用来制造新型短波长半导体纳米激 光器［(，.，’］ , 目前，人们已经较为深入地研究了 )*+ 纳米线 的光致发光行为，发现室温下利用光抽运 )*+ 纳米 线会令 )*+ 纳米线有紫外激光发射行为［(，.］ , 为了 实现 )*+ 纳米线在发光器件领域中的应用，人们展 开了对 )*+ 薄膜及有关纳米结构室温电致发光特 性的研究 , 但由于 )*+ 半导体材料的 ? 型掺杂问题 始终没有得到很好的解决，因此利用 )*+ 构成同质 ?5* 结仍然存在较多困难 , 于是人们尝试利用与 )*+ 具有相似的禁带宽度、纤锌矿晶体结构及较低的晶 格失配度的 G6H 构成 *5)*+I?5G6H 异质结［%—4］，并 研究了 )*+ 纳米线在电场或电流驱动下的发光特 性 , 但由于异质 ?5* 结界面上会形成势垒，降低载流 子的注入效率，因此发光效率并不高，而且未能观察 到明显的紫外发射峰 , 本文探讨了一种利用液相法生长 )*+ 纳米线 构成的双绝缘层型交流电致发光（ /J ）器件，在室温 环境下可以明显地观察到位于近紫外波段 ($% *- 处较强的 )*+ 本征光发射 , E 实 验 ’()( 材料生长 利用 F6KLL7BMBL 等［#，］提出的液相法，在已被 氧化的硅片表面上生长 )*+ 纳米线 , 首先将表面干 净的硅片在纯氧中高温氧化 3 ，使硅片表面形成一 层厚度约为 # — .# *- 的 N7+ 绝缘层，并用丙酮、 乙醇、去 离 子 水 依 次 超 声 清 洗 干 净 作 为 衬 底 , 在 ’# O 水浴加热条件下，将 ’. -J 的 #E#( -P8IJ 的 第 .’ 卷 第 3 期 ##% 年 3 月 ###5(4#I##%I.’ （ #3 ） I(445#’ 物 理 学 报 Q1RQ STUNV1Q NVHV1Q FP8,.’ ， HP,3 ， Q?M78 ， ##% ! ##% 17*, SKL, NPD, !#$ 乙醇溶液缓慢加入 %’ () 的 *+*% (,-.) 的 /0 （ 1$ 2 1## ） 乙醇溶液中，利用磁搅拌至少 3 ，所 得胶体即为 /0# 晶核胶体［］ 4 将制好的晶核胶体以 ’** 5.(60 的转速均匀旋涂于衬底上，并置于 %’* 7 环境中退火约 2* (604 然后将衬底浸泡于 *+*’ (,-.) 的硝酸锌（ /0 （ !# 2 ） ）与六亚甲基四胺（ 1 8 $ % ! 9 ）的 混合溶液中， :* 7 水浴反应 8 3 后取出，用去离子水 洗去表面附着物后，可以在衬底正面看到一层乳白 色薄膜状产物［2］，最后在 ;* 7 温度下退火 %+’ 34 扫 描电子显微镜（ = ）、透射电子显微镜（ ?= ）、 @ 射 线衍射以及电子能量色散谱分析表明，该产物为单 晶 /0# 纳米线 4 图 % 所示为 /0# 纳米线典型的 = 形貌像，单根纳米线平均