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fap第5章节集成运算放大器107506616
0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用理想二极管串联电压源模型分析,波形如图所示。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 三. 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时,允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压UBR——— 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 (3) 反向电流IR—— 在室温下,在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级;锗二极管在微安(?A)级。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 四、稳压二极管(P17) 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管 正向同二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 + UZ - 限流电阻 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 模拟电子技术 理论部分:50课时 实操部分:40课时(分班) 教师:吴楚珊 TEL674032) E-MAIL:cswu@gdaib.edu.cn 理论部分:50课时 实操部分:40课时(分班) 教师:吴楚珊 TEL674032) E-MAIL:cswu@gdaib.edu.cn Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第一章 半导体器件基础 1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 BJT模型 1.5 场效应管 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 导体:自然界中很容易导电的物质称为导体 绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体 半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 1.1 半导体的基本知识 金属一般都是导体。 在物理学中。根据材料的导电能力,可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有不同于其它物质的特点。例如: 当受外界热和光的作用时,它的导电能 力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使 它的导电能力明显改变。 1.1 半导体的基本知识 热敏特性、光敏特性、掺杂特性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1.1 半导体的基本知识 典型的半导体是硅Si和锗Ge,它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T=0K时,所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中,不会成为自由电子,因此本征半导
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