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SIM卡基础硬件逻辑测试 物理特性测试 物理特性测试 物理特性测试 物理特性测试 物理特性测试 物理特性测试 物理特性测试 SIM卡ESD特性测试 （ESD）Electro-Static Discharge ，静电放电 SIM卡电气特性检测 SIM卡电气特性检测 SIM卡电气特性检测 SIM卡电气特性检测 SIM卡传输协议检测 SIM卡传输协议检测 上电复位 复位应答 握手协议 正常通讯 ATR检测 通讯协议检测 时序检测 错误重发检测 …… Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. SIM卡基础硬件逻辑检测 总结 硬件是实现软件和上层应用的基础 硬件测试是最基础的测试 硬件测试中会出现破坏性实验 硬件测试在全面测试中应该是最后一道测试 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 谢 谢！ Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. SIM卡的防静电指标按国际标准为1500伏，中国国内各移动运营商根据美国海军军标采用4000伏指标 抗静电测试主要是模拟人体静电对SIM卡的影响， 抗静电测试需要专用测试设备，对SIM卡各金属触点分别进行电击测试 由于中国北部空气干燥，易产生静电，因此发生的SIM卡失效事件中有一部分就是由于静电破坏造成的，现象是伏安特性恶化。 SIM卡的附加特性包括抗化学腐蚀、抗X射线、抗磁场、抗振动、抗静电、抗电场等对外界有害影响的防护能力和热耗、卡基光透性、可燃性等芯片、卡基的物理特性 附加特性的测试需要专用的测试设备和工具 SIM卡的化学特性测试主要是模拟人体汗液或空气中所能接触到的液体、气体的腐蚀影响 SIM卡的光学特性测试主要是为了验证SIM卡对紫外线、X射线等射线的防护性能，对芯片造成损伤 SIM卡的上述测试均需要专用的测试设备或化学药品配合进行 在SIM卡的实际使用中出现的SIM卡通信不良就与化学腐蚀有关，汗液腐蚀形成金属条带上的绝缘氧化层，导致机卡接触不良 SIM卡的老化测试是为了检验SIM卡芯片寿命而进行的一种测试，属于破坏性测试 SIM卡老化测试按测试对象和目的不同分为芯片的高低温老化测试和E2PROM擦写老化测试 SIM卡的老化测试一般在芯片设计和制造厂商阶段进行，属于对芯片质量的检验 SIM卡电学特性测试是与其实际使用有关的一项很重要的测试，电学特性指标的满足程度严重的影响了SIM卡的寿命及质量 测试的对象是SIM卡芯片各管脚的电流和电压，因此该项测试的结果与SIM卡芯片质量和SIM卡使用的稳定性有很大关系。 测试工具简单，为通用测量工具，但要求测试精度很高，电流到微安级 SIM卡电学特性测试第一项就是开短路测试，为最基本的测试，是验证SIM卡各触点开路和短路特性的 测试工具为电流表和电压表，可以直接在SIM卡的金属触点上测量 该项测试不通过的卡片为绝对不合格卡，现象是手机（或其他卡读写设备）无法对卡进行正常的上电操作和通讯 SIM卡的VCC、IO、CLK、RST管脚在正常工作条件下的电流、电压指标在国际标准和中国移动的SIM卡基础技术规范中有详细的规定，以VCC管脚电压极限为例如下： 根据SIM卡的不同工作状况，SIM卡在不同供电电压、工作状态下的电压、电流指标也有不同规定，SIM卡应针对这不同工况分别进行测试 SIM卡的供电电压目前有5伏、3伏和1.8伏，外部时钟为1MHz~5MHz可变，SIM卡的工作状态有空闲状态、操作状态、睡眠状态（空闲状态是一种特殊状态） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 本章提纲 1.SIM卡基础硬件逻辑测试 2.SIM卡物理特性测试 3.