模拟电子技术半导体存储器.pptVIP

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  • 2017-03-31 发布于江苏
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模拟电子技术半导体存储器

10.1 只读存储器 10.2 随机存取存储器 10.1 只读存储器 10.1.1 ROM的结构 * * 主编 李中发 制作 李中发 2005年1月 电子技术 第10章 半导体存储器 学习要点 理解只读存储器的基本工作原理 掌握用只读存储器进行逻辑设计的方法 了解随机存取存储器的基本工作原理 了解扩展存储器容量的方法 第10章 半导体存储器 ROM的分类 掩膜ROM:不能改写。 PROM:只能改写一次。 EPROM:可以改写多次。 存储器的分类 RAM:在工作时既能从中读出(取出)信息,又能随时写入(存入)信息,但断电后所存信息消失。 ROM:在工作时只能从中读出信息,不能写入信息,且断电后其所存信息在仍能保持。 存储容量=字线数×位线数=N×M(位) 存储单元地址 10.1.2 ROM的工作原理 二极管与门阵列 二极管或门阵列 结合电路图及上表可以看出,接有二极管的交叉点存1,末接二极管的交叉点存0。存储单元是存1还是存0,完全取决于只读存储器的存储需要,设计和制造时已完全确定,不能改变;而且信息存入后,即使断开电源,所存信息也不会消失。所以,只读存储器又称为固定存储器。 存储内容 ROM的阵列图 接有三极管的交叉点存1,末接三极管的交叉点存0。 接有场效应管的交叉点存1,末接场效应管的交叉点存0。 EPROM的存储单元 10.1.3 ROM的应用

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