第7章节集成电路版图的设计.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 有源层电阻(续) P+扩散分别与有源区形成P+有源层电阻。有源层通过接触孔与第一层金属连接，金属构成有源层电阻的两个电极。 P+有源层电阻的方块电阻值为153.4欧姆，每个接触孔形成的电阻为118.5欧姆。电阻一般为几百到几千欧姆。 P+有源层电阻俯视图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 阱区电阻 为了引出N阱电阻的两个电极，在N阱中进行N+扩散，该扩散区与有源层形成N型有源区，有源区再通过接触孔和金属连接形成欧姆接触，金属构成了电阻的两个电极。 N阱电阻的方块电阻值为1011欧姆，该电阻一般在几kΩ到几百kΩ。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile . Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 电容(Capacitance) TSMC_0.35?m工艺制作的电容是一种结构简单的MIM电容，该电容由三层介质组成： 导电层作为下电极 绝缘层作为平板电容两电极间的介质