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Smart Grid 智能电网, 2016, 6(2), 116-128 Published Online April 2016 in Hans. /journal/sg /10.12677/sg.2016.62013 文章引用: 裴紫微, 张静. p型 SiC欧姆接触的研究进展[J]. 智能电网, 2016, 6(2): 116-128. /10.12677/sg.2016.62013 Research Progress of Ohmic Contacts for p-Type SiC Ziwei Pei, Jing Zhang Department of Microelectronics, North China University of Technology, Beijing Received: Apr. 2nd, 2016; accepted: Apr. 17th, 2016; published: Apr. 20th, 2016 Copyright ? 2016 by authors and Hans Publishers Inc. This work is licensed under the Creative Commons Attribution International License (CC BY). /licenses/by/4.0/ Abstract Ohmic contact is one of the technical difficulties in the study of the new generation power elec- tronic devices of SiC. In addition to the metal selection, compared to n-type doping, the ionization energy of p-type SiC is much higher. The superior quality of p-type SiC ohmic contact is more diffi- cult to form. In this paper, it is summarized that ohmic contacts for Al-base traditional materials and non Al-base traditional metal materials made on p-type SiC, and discussed for its development prospects. Keywords p-Type SiC, Power Electronic Devices, Ohmic Contact p型SiC欧姆接触的研究进展 裴紫微，张 静 北方工业大学微电子学系，北京 收稿日期：2016年4月2日；录用日期：2016年4月17日；发布日期：2016年4月20日 摘 要 欧姆接触是碳化硅(Silicon Carbide, SiC)新一代电力电子器件研究中的技术难点之一。除了金属选择外， 裴紫微，张静 117 相对于n型掺杂，SiC材料中p型杂质的离化能比n型杂质的离化能高，优质的p型SiC欧姆接触更难于形成。 该文对近十几年来极具代表性的传统Al基金属体系和非传统Al基金属体系在p型SiC材料上形成欧姆接触 的研究进行了总结，并对其发展前景进行了展望。 关键词 p型SiC，电力电子器件，欧姆接触 1. 引言 SiC 电力电子器件主要包括功率整流器(SBD、PiN 和 JBS 等)、单极型功率晶体管(MOSFET、JFET 和 SIT等)和双极型载流子功率晶体管(BJT、IGBT和 GTO等)。其中极具代表的 SiC PiN、SiC MOSFET 和 SiC BJT等器件，均需要形成良好的 p型欧姆接触。经过大量的研究工作，SiC欧姆接触问题目前主要 集中在两个技术点上：一是大剂量的离子注入，这能显著地增加 SiC 的载流子密度，并减少它的耗尽层 宽度，形成隧穿；这种方法的关键问题是：在离子注入过程中容易形成晶格缺陷或非晶状态，这些缺陷 是非常顽固的，需经过大约 2000K的极高温退火来复原，从而使制造 SiC器件复杂化[1]；二是通过淀积 金属和退火技术，产生一种具有较窄带隙或高载流子密度的中间层。为形成这种层，大范围的材料可供 选择，包括金属化物、硅化物、碳化物、氮化物和石墨等等[2]。实际欧姆工艺制备是在综合以上两个技 术点的情况下完成的。 2. p型 SiC欧姆