半导体物理 第六章 pn结解析.pptVIP

第六章 pn结 本章主要内容 pp’边界注入的非平衡少数载流子浓度为 非平衡少数载流子浓度是电压的函数。 同理，nn’边界注入的非平衡少数载流子浓度为 非平衡少数载流子浓度是电压的函数。 稳态时，非平衡少数载流子的连续性方程 小注入时 N型扩散区Ex=0 连续性方程变为： 方程的通解为： 边界条件：x??, pn(?)=pn0, X=xn, 同理： 外加正向偏压下，非平衡少数载流子在两边扩散区的分布 讨论： 1. 非平衡少数载流子浓度一定，在扩散区形成稳定扩散，按指数规律衰减。 当 V一定，在x=xn 和x=-xp边界处 2. 加反向偏压下，如果qVk0T, 对n区： 在x=xn处 在n区内部：xLp处 2.外加偏压下电流密度的关系 小注入时，耗尽层外的扩散区不存在电场， 在X=Xn处，空穴扩散电流密度为 同理，在X=-Xp处，电子扩散电流密度为 理想PN 结，忽略势垒区内的复合-产生作用， 通过pp’界面的空穴电流密度为Jp(-xp)=通过nn’’界面的空穴电流密度为Jp(xn); 通过pn结的总的电流密度为J J= Jn(-xp) +Jp(-xp) = Jn(-xp) +Jp(xn) 理想pn结的电压-电流方程，又称为肖克莱方程。 3. Pn结的单向导电性 正向偏压下，电流密度随电压V指数式迅速增大 室温下，k0T=0.026V, 反向