PLA_TCMC静电纺丝膜的制备及溶液中Cu_2_离子的去除_陈哲.pdfVIP

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  • 2017-04-03 发布于湖北
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PLA_TCMC静电纺丝膜的制备及溶液中Cu_2_离子的去除_陈哲.pdf

PLA_TCMC静电纺丝膜的制备及溶液中Cu_2_离子的去除_陈哲

第 33 卷   第 1 期 膜   科   学   与   技   术 Vol.33   No.1 2013 年 2 月 MEMBRANE   SCIENCE   AND   TECHNOLOGY   Feb.2013 PLA / TCMC 静电纺丝膜的制备及 溶液中 Cu 2+离子的去除 陈   哲 1 , 2 , 林晓艳 1 , 2 , * , 李   莹 1 , 2 , 罗学刚 1 (西南科技大学 1. 生物质材料教育部工程研究中心; 2. 材料科学与工程学院,四川 绵阳 621010 ) 摘要:采用静电纺丝技术制备不同质量比的 PLA / TCMC 静电共混纺丝膜 , 并通过 FTIR 、 TG 、 DSC 及拉伸测试进行表征 . 同时将质量比为 60∶40 的静电共混纺丝膜应用于溶液中 Cu 2+ 去除研究 , 考察了初始浓度 、 流动时间 、 使用次数等对静电共混纺丝膜去除溶液中 Cu 2+ 的能力 . 结果表明 : PLA 与 TCMC 的质量比为 60∶40 时 , 纺丝才能得到的纤维直径比较均 匀 , 纤维形貌较好 、 具有较好的热稳定性和拉伸强度 ; 静电共混纺丝膜能一定程度地去除溶液 中的铜离子 , 其去除率最高可达 13.77% ; 去除率受初始浓度的影响 , 当初始浓度为 40m g / L 时去除率最高 ; 随着处理时间的增大 , 使用次数的增加 ,

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