2005年春季B答案要点.docVIP

哈工大 2005 年 春 季学期 班号 姓名 集成电路设计原理 试 题 B （附答案要点） 题号 一 二 三 四 五 总分 分数 （共30分）采用典型PN结隔离工艺设计右图所示的TTL电路， 1. 按工艺流程先后顺序写出所需光刻掩模版的名称（5分）。 N+埋层、P+隔离、硼扩散（基区P型扩散）、磷扩散（发射区N+型扩散）、引线孔、金属连线、钝化窗口。 2. 最少需要划分几个隔离区？ 各个隔离区包含哪些元件？（5分） 最少需要划分6个隔离区：T1、T2、T5、T6各占一个隔离区；T3、T4公用一个隔离区；所有电阻占一个隔离区。 3. 晶体管T5通常采用什么结构图形？ 为什么？（5分） T5通常采用双基极双集电极结构图形。因为它的工作电流比较大，而且要求集电极串联电阻要小。 第 1 页 （共 6 页） 试 题：集成电路设计原理 B 班号： 姓名： 4. 晶体管T1通常采用什么结构图形？ 为什么？（5分） T1通常采用长脖子基区或肖特基晶体管结构图形，主要是为了减小输入漏电流。 5. T6网络(T6,Rb,Rc)的作用有哪些？（5分） T6网络(T6,Rb,Rc)的作用有：提高抗干扰能力，使电压传输特性曲线矩形化；缩短上升时间和下降时间，提高电平转换速度。 6. 埋层是那种导电类型？埋层有哪些作用？（5分） 埋层的导电类型是n+，埋层的作用有： 1）减小外延层寄生电阻（横向PNP管基区电阻，NPN管集电极电阻） 2）减小寄生PNP晶体管效应（加大了寄生PNP基区宽度，形成寄生PNP基区减速电场 第 2 页 （共 6 页） 试 题：集成电路设计原理 B 班号： 姓名： 二、（20分）右图是一个CMOS门电路，说明它的功能，写出逻辑表达式。如果将它用作反相器，有哪几种方式？这几种方式所构成的反相器在性能上有何不同？为什么？ 用作反相器有两种方式： 将一个输入端接电源，用另一个输入端作 为输入 将两个输入端短接在一起作为输入 设方式1)形成的倒相器的等效PMOS管和NPMOS管宽长比分别为：(W/L)p1 和(W/L)n1 设方式2) 形成的倒相器的等效PMOS管和NPMOS管宽长比分别为：(W/L)p2 和(W/L)n2 则有： (W/L)p1 (W/L)p2 (W/L)n1=(W/L)n2 由此可以判断： 方式2）的上升时间比方式1）的短 方式2）的瞬态功耗比方式1）的大 方式2）的转折电压比方式1）的大，因而方式2）的低电平噪声容限比方式1）的大，方式2）的高电平噪声容限比方式1）的小。 第 3 页 （共 6 页）试 题：集成电路设计原理 B 班号： 姓名： 三、（20分）分析右图所示的CMOS单元电路版图，1) 按工艺流程的先后顺序，写出图中所用到的光刻掩膜版名称；2) 画出对应的电路图；3)分析电路功能，写出逻辑表达式。 1）N阱(Nwell)，有源区（active），多晶硅（poly）,P+注入（Pplus），引线孔（contact）,金属1（Metal1） 2）对应的电路图如右下图。 3）该电路是由一个与或非门和一个反相器级联构成的与或门。逻辑表达式为： F=AB+C 第 4 页 （共 6 页）试 题：集成电路设计原理 B 班号： 姓名： 四、（20分）分析右图所示CMOS运放电路。 说明M3和M4的作用及其版图设计要点； 说明M6、M7、M5和M9的作用以及I1、I2和I3的比例关系。 1）M3和M4以基本镜像电流源形式作为差分输入管M1、M2的有源负载，提高电压增益，同时完成了单端化输出的作用。版图设计时，俩管图形、尺寸要一致，摆放方向相同、位置相邻、处于同一等温线上，器件的沟道长度要适当加大，以便减小沟道长度调制效应影响。 2）M6、M7、M5和M9构成了两个支路输出的镜像电流源，M6、M7产生参考电流I1；M5产生与I1有一定比例的工作电流I2，稳定差分放大器的工作电流，提高差分放大器的共模抑制比；M9产生与I1