第1章 半导体器件汇编.pptVIP

电子技术基础 第一章 半导体器件 1.1 概述 1.2 半导体二极管进入 1.3 晶体三极管进入 1.4 绝缘栅场效应管进入 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体进入 1.1.2 杂质半导体进入 1.1.3 PN结及其导电性能进入 1.1.3 PN结及其导电性能 一、PN结进入 二、 PN结的单向导电性进入 图(c)中，二极管是反向击穿状态，所以UVD= -20V， UR= -（30+UVD）=-（30-20）=-10V， I未超过正向最大允许电流，管子能正常工作。 （2）设电压极性和电流方向如图所示，则： 图(a)中，二极管正向导通，所以取UVD=0.3V，则UR=3-0.3 UR=2.7V， 图(b)中，二极管是反向截止状态，所以： 电流I≈0，UR≈0，UVD≈ -3V。 I在稳定范围内，管子能正常工作。 1.2.3 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IFM (2) 反向击穿电压U(BR)和最大反向工作电压URM (3) 反向电流IR 半导体器件命名方法 (4) 正向压降UF (5) 极间电容CB (6) 最高工作频率fM 图1-10 万用表简易测试二极管示意图 1.2.4 二极管的简易测试 1.2.5 二极管的用途 二极管常用作开关、检波、整流、限幅、稳压等等。 图1-4 自锁控制中的开关控制电路 VD1起限幅作用，使AB间电压不超过0.7V。VD2当开关，为续流二极管。VD3是稳压二极管。 应用举例： 二极管组成的单相桥式整流电路 应用举例： 把交流电变成直流电 特殊二极管 （1）稳压二极管 （2）光电二极管和发光二极管 光电二极管的ＰＮ结在反向偏置状态下运行，其反向电流随光照强度的增加而上升。 发光二极管在正向导通时能发光。 稳压管工作在反向击穿区，起稳压作用。 在电路中应给稳压管串联一个阻值适当的限流电阻。 +VCC Rc Ra T + - + - uI uO A F 三极管非门电路 Rb 三极管常作放大器件或开关，如下图是三极管组成的非门电路，非门是各种自动化系统中常用的一种逻辑电路。三极管在其中当开关使用。 1.3 晶体三极管 1.3.1 三极管的结构、符号和特点 1.3 晶体三极管 1.3.2 三极管的电流分配与放大进入 1.3.3 三极管共射极伏安特性曲线进入 1.3.4 三极管的主要参数进入 三极管外形 几种常见三极管实物图 大功率三极管 功率三极管 普通塑封三极管 — 基区 — 发射区 — 集电区 NPN型 e c b P P N e b c e c b PNP型 1.3.1 三极管的结构、符号和特点 N N P 发射极e 基极b 集电极c 发射结 集电结 结构特点： 三个电极对应的区结构不同，所以三个电极不能调换使用。 ? 基区很薄，且掺杂浓度很低； 发射区的掺杂浓度最高； 集电区面积最大。 三极管的分类： 三极管的种类很多,按其结构类型分为NPN管和PNP管;按其制作材料分为硅管和锗管;按工作频率分为高频管和低频管;按功率大小分为大功率管和小功率管;按封装形式分为塑封和金属封。 三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。 半导体器件 命名方法 1.3.2 三极管的电流分配与放大 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过内部载流子的运动体现出来的。 （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度， 且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 实现放大的两个条件是： 一、三种基本连接方式 二. 三极管共射极放大电路的电流分配 IE=IB+ IC NPN和PNP三极管共射放大电路的直流电源接法 由实验测得 △IE=△IC+△IB 三极管的电流分配关系符合节点电流定律 三极管内部载流子运动 输入 回路 输出 回路 RC VCC iB IE RB + uBE ? + uCE ? VBB C E B iC + ? + ? + ? 仿真 三、三极管的电流放大 实验证明：ICIB，即较小的输入回路电流（IB）使电路获得了较大的输出回路电流（IC），说明三极管有直流电流放大作用。 而△IE=△IC+△IB，其中△IC△IB，即基极电流较小的变化能引起集电极电流较大的变化，说明三极管有交流电流放大作用。 内部载流子的运动特点决定了三极管的放大特性。 1.3.3 三极管共射极伏安特性 iB