3.1-3.2河北科技大学数字电子技术基础探索.ppt

第三章 门电路 本章主要内容 3.1 概述 3. 高低电平的实现 3.1 概述 互补开关电路的原理为 4. 数字电路的概述 (2) 分类： 按导电类型可分为 3.2 半导体二极管门电路 对于图3.2.1所示二极管开关电路，由于二极管具有单向导电性，故它可相当受外加电压控制的开关。 当vI＝VIL＝0时，D导通，输出电压vo＝ VOL ＝0 二极管的动态电流波形如图3.2.3所示 3.2.1半导体二极管的开关特性 3.2.2 二极管与门 其输入输出及真值表如表3.2.1和3.2.2所示 3.2.3 二极管或门 3.2.2 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点: 3.3 CMOS门电路 电路特点 AB段：输入低电平 BC段： 2.电流传输特性 CD段：输入高电平 BC段： 三、输入端噪声容限P82 2.计算方法 其中： 与 PNP 三极管相似， PMOS 管为电压控制器件，当 UGSUGS(th) P,MOS 管导通。 D S B G P沟道增强型场效应管 e c b PNP型三极管 P沟道增强型场效应管 N 沟道增强型场效应管 MOS 管导通。 MOS 管导通。 D S B G D S B G Ui Ui D S B G Ui iD D S B G Ui iD 3.3 CMOS门电路P79 NMCS管反相器 设：1/2UDD＞UGS(th) 当ui=0时, D、S之间断 uo=UDD 当ui=UDD时, D、S之间通uo=0 希望RD的阻值越小越好 希望RD的阻值越大越好 3.3.2 CMOS反相器的工作原理 NMOS管 PMOS管 CMOS电路 UDD S T2 D T1 A F 一、电路结构 3.3.2 CMOS反相器的工作原理 UDD S T2 D T1 ui uo ui =0 截止 ugs2=?UDD 导通 u ０=１ 工作原理： S 设：1/2UDD＞UGS(th) 1 0 UDD UDD S T2 D T1 ui uo ui =１ 导通 截止 u０=０ 工作原理： S 1 0 UDD 1. 无论 Ui是高电平还是低电平，T1和T2管总是一个导通一个截止的工作状态，称为互补，这种电路结构CMOS电路； 2. 电路工作时， T1和T2总是有一个截止的，其截止电阻很高，故流过T1和T2的静态电流很小，故其静态功耗很小。 vO V vI V DD V DD 2 1 V DD 2 1 DD 0 二、CMOS反相器电压传输特性曲线 UGS2 UGS(th)N, |UGS1||UGS(th)P| T1截止，T2导通 VDD S T1 D T2 vi vo VTH CMOS反相器传输特性曲线 阈值电压 输出电压随输入电压变化的曲线 UGS2＜UGS(th)N, |UGS1|＞|UGS(th)P| T1导通，T2截止 UGS2＞ UGS(th)N ，|UGS1 | ＞| UGS(th)P | T1导通，T2导通 T1管导通，T2截止，输出电压为高电平，即 CD段：输入高电平 T1管截止，T2导通，输出电压为低电平，即 P81 1、电压传输特性 图3.3.11 CMOS反相器的电压传输特性 T1、T2的工作状态开始发生变化，1/2VDD时 T1、T2同时导通，若T1、T2参数完全相同，则 图3.3.12 CMOS反相器的电流传输特性 AB段：输入低电平 T1管导通，T2截止，输出漏极电流近似为零 电流传输特性是反相器的漏极电流随输入电压变化曲线，如图3.3.12所示。也分成三段： T1管截止，T2导通，输出漏极电流近似为零 图3.3.12 CMOS反相器的电流传输特性 图3.3.12 CMOS反相器的电流传输特性 T1、T2同时导通，有电流iD同时通过，且在 vI＝VDD / 2附近处，漏极电流最大，故在使用输入电压不应长时间工作在这段，以防由于功耗过大而损坏。 图3.3.11 CMOS反相器的电压传输特性 由电压传输特性可知，在输入电压vI偏离正常低电平或高电平时，输出电压vo并不随之马上改变，允许输入电压有一定的变化范围。 输入端噪声容限：是指在保证输出高、低电平基本不变（不超过规定范围）时，允许输入信号高、低电平的波动范围。 1.定义： * 数字电子技术基础 信息科学与工程学院·基础电子教研室 内容提要： 本章主要讲述数字电路的基本逻辑单元－－门电路，有TTL逻辑门、MOS逻辑门。在讨论半导体二极管和三极管及场效应管的开关特性基础上，讲解它们的电路结构、工作原理、逻辑功能、电器特性等等，为以后的学习及实际使用打下必要的基础。本章重点讨论TTL门电路和CMOS门电路。 3.1 概述 3.2 半导体二极