第四章三极管试卷.pptVIP

第四章 三极管及放大电路基础 半导体三极管 基本放大电路 主要内容： 1、半导体三极管的结构及工作原理，放大电路的三种 基本组态； 2、静态工作点Q的不同选择对非线性失真的影响； 3、用H参数模型计算共射极放大电路的主要性能指标； 4、共集电极放大电路和共基极放大电路的工作原理； 5、组合放大电路； 6、三极管放大电路的频率响应。 1、了解半导体三极管的工作原理、特性曲线及主要参数； 2、了解半导体三极管放大电路的分类； 3、掌握用图解法和小信号分析法分析放大电路的静态及 动态工作情况； 4、理解放大电路的工作点稳定问题； 5、了解放大电路的频率响应及各元件参数对其性能的影响。 基本要求： 半导体三极管（BJT-----T） 频率： 高频管、低频管 功率： 材料： 小、中、大功率管 硅管、锗管 类型： NPN型、PNP型 半导体三极管是具有电流放大功能的元件 2.4х2.9mm 晶体三极管的结构及特点 发射结 集电结 基极 发射极 集电极 晶体三极管是由两个PN结组成的 发射区 基区 集电区 ？不同名 三极管电流分配 半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 工作在放大状态需要具备如下外部条件： 1、发射结加正向电压（正偏）； 2、集电结加反向电压（反偏）。 同时，还需要具备内部条件： 三个区具有不同的特点： 1、发射区高浓度杂质； 2、基区很薄 三极管（T）的工作原理 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电子流为IEN（e区高浓度掺杂） 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量相对较少，形成的电流为IEP。（这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。） 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电子流ICN。（只有）靠近基极的电子被拉走，形成的电子流是 IBN。 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。 集电结是否会变厚？ 结论：不会！ 电子进入集电结后不会停留，迅速又被拉走，不影响原来结的厚度 三极管放大电路组态的判别方法： 1、接地的电极决定组态 2、找出与输入信号、输出信号连接的电极， 空出的电极决定组态 e接地------ b接地------ c接地------ 共射极 共基极 共集电极 b接输入，c接输出------ 共射极 e接输入，c接输出------ 共基极 b接输入，e接输出------ 共集电极 共基极 共射极 共集电极 三极管的电流关系 共集电极接法：集电极作为公共端； 共基极接法： 基极作为公共端。 共发射极接法：发射极作为公共端； 各极电流之间的关系式 共基极电流传输系数。 共发射极电流放大系数。 IE =IC+IB ? 1 IE =IC+IB 三极管的放大作用 发射结外加电压 尽管电流没有放大，但电压得到放大了 首先判断外部条件 共射极方式 是否满足外部工作条件？ 半导体三极管的特性曲线（以共射极组态为例） iB是输入电流，vBE是加在B、E两极间的输入电压。 输入特性曲线— iB=f(vBE)? vCE= 常数 共发射极接法的输入特性曲线： 其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线； 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少， 对应相同的vBE ， iB会有所减少，特性曲线将向右稍微移动一些；但vCE再增加时，曲线右移很不明显（理由？iB-----iC）。 锗管 0.1~0.3V 硅管 0.6~0.8V vBE 强调变化的部分 导通电压 输出特性曲线— iC=f(vCE)? iB= 常数 iC是输出电流，vCE是输出电压（针对前面的电路图）。 ⑴放大区： 发射结正偏、集电结反偏 ⑵截止区： IB=0以下的区域。 ⑶饱和区： 发射结和集电结均为正偏 IC随着VCE的变化而迅速变化。 工程上以VCE=0.