金属-氧化物-半导体绝缘栅型场效应管试卷.ppt

4.3 金属-氧化物-半导体绝缘栅型场效应管 (Metal-Oxide-Semiconductor type FET) 类别 4.3.1 N沟道增强型MOSFET g s d N+ N+ SiO2保护层 Al b P 结构示意图 1. 结构 结构与符号 P 型衬底 (掺杂浓度低) 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层 用金属铝引出 源极 S 和漏极 D 在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain 由于栅极与源极、漏极均无电接 触，故称绝缘栅极，N沟道增强符 号，箭头方向表示由P指向N。 2. 工作原理 电路连接图 (1) vGS =0 , vDS≠0 此时不管vDS极性如何，源极和漏极之间始终有一个PN结反偏，iD=0 漏极和衬底间PN结反偏，漏源之间的电阻很大，没有形成导电沟道，iD=0。 (2) vGS 0 ,vDS =0 产生垂直向下的电场 电场排斥空穴，留下不能移动的负离子 吸引P型硅表面的电子 形成耗尽层 组成s d之间的导电沟道 当vGS =VT时 电子在P型硅的表面形成N型薄层称为反型层 是栅源正电压感应产生的，也称感生沟道 在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压叫做开启电压VT。 在vGS= 0没有导电沟道，必须依靠栅源的作用才形成感生沟道的FET称为增强型MOS管 一旦出现感生沟道，两个N型区连在一起，产生电流iD vDS (d)沟道反型层呈楔形 (b) 由于沿沟道有电位梯度沟道厚度源端厚，漏端薄 (3) 当vGS VT ,vDS0时 (c) 绝缘层内不同点的电场强度不同,左高右低 (a) 外加较小的vDS 时， iD随vDS迅速增大 a. vDS升高 沟道变窄 vDS 反型层变窄 b. 当vGD =vGS–vDS=VT时 uDS 沟道在漏极端夹断 (b) 管子预夹断 (a) iD达到最大值 c. 当vDS进一步增大 (a) iD达到最大值且恒定 uDS vDS 沟道夹断区延长 (b) 管子进入恒流区 3．特性曲线 输出特性曲线 (a)．输出特性 管子工作于恒流区时函数表达式 （b）转移特性曲线 式中， 4．参数 MOSET与JFET的参数基本相同（见表4.1.1）。不同的是在增强型管子中不用夹断电压VP，而用开启电压VT表征管子的特性。 4.3.2 N沟道耗尽型MOS管 1. MOS管结构示意图 绝缘层中渗入了正离子 出现反型层 形成导电沟道 g 导电沟道增宽 导电沟道变窄 耗尽型MOS管可以在vGS为正或负下工作,基本上无栅流。 g 4.3.3 各种FET的特性比较及使用注意事项 见表4.3.1 耗尽型 增强型 当 时 当 时 MOSFET符号 增强型 耗尽型 场效应管的特点（与双极型晶体管比较） (1) 场效应管是一种电压控制器件，即通过vGS来控 制iD； 双极型晶体管是一种电流控制器件，即通过iB来控制iC。 (2) 场效应管的输入端电流几乎为零，输入电阻非常 高; 双极型晶体管的发射结始终处于正向偏置，有一定 的输入电流，基极与发射极间的输入电阻较小。 (3) 场效应管是利用多数（一种极性）载流子导电的; 在双极型晶体管中二种极性的载流子（电子和空穴）同时参与了导电。 (4) 场效应管具有噪声小、受辐射的影响小、热稳定 性较好，且存在零温度系数工作点。 (5) 场效应管的结构对称，有时（除了源极和衬底在 制造时已连在一起的MOS管）漏极和源极可以 互换使用，且各项指标基本不受影响，使用方便、 灵活。 (6) 场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。 每个MOS场效应管在硅片上所占的面积只有双极 性晶体管5%。 场效应管的跨导小，当组成放大电路时，在相 同的负载电阻下，电压放大倍数比双极性晶体管 低。 (8) 由于MOS管的输入电阻高，由外界感应产生的电 荷不易泄露，而栅极上的绝缘层又很薄，这将在 栅极上产生很高的电场强度，以致引起绝缘层的 击穿而损坏管子。