4高等金属学位错B2讲稿.ppt

位错B 材料与冶金学院 2.6.4 位错受应力场的作用力 ﹡受力的定义：位错dl受力扫过距离dd ,则作的功 是外应力场施加的.若外应力场为[σ],则 那么 是位错线和滑移距离所组成的平面上受的力，作用面滑动一个距离　，则： 按框积公式 ﹡位错受到的作用力 ﹡举例：两平行刃位错相互作用 设有位错1和位错2，现在分析位错2在位于位错1应力场中所受到的作用力。 代入位错1的应力场 其中第一项x1方向分力fx1，作用于位错上的滑移力。第二项为x2方向上分力fx2，作用于位错上的攀移力 分析fx1可知： 当x1=0或x1=±x2时，fx1=0。即位于以上两类位置的位错2都不受x1方向的力，不会在x1x2平面上产生滑移运动，是相对稳定的位置。 1. 对于两平行刃位错同号的情况： 当x12x22即|x1||x2|时，若x10，则fx10,受+x1方向的力；若x10，则fx10,受-x1方向的力。即位错2在水平方向有远离位错1的倾向。 当x12x22即|x1||x2|时，若x10，则f10,受-x1方向的力；若x10，则f10,受+x1方向的力。即位错2在垂直方向有靠拢位错1的倾向.可见x1=0， f1=0,是一种稳定状态。 当x1=±x2时，f1=0,是一种亚稳定状态，因为只要位错2稍偏离这个位置，fx1都会使其远离x1=±x2的位置。 两平行刃位错在x轴方向的作用力 2. 异号位错的受力 ﹡举例：两平行螺位错相互作用 在螺位错A的应力场中，位错B处于切应力分量τθz=GbA/2πr的应力状态下，此时，作用于B位错线上的力fr=τθb.bB,于是 ★两平行位错间的作用力，其大小与两位错强度的乘积成正比，而与两位错间距成反比，其方向则沿径向r垂直于所作用的位错线。 ★两螺位错同向(柏氏矢量同向)时，其作用力为排斥力，而异号(柏氏矢量反向)时，则为吸引力。 两根任意位错的作用力 两根位错线平行、柏氏矢量任意时，位错1放在x3轴上，位错2平行于位错1， 如图 ﹡通过位错能判断位错运动 例：如图，两个位错在什么位置下，两个位错完全没有作用力，在什么位置作用力最大？最大作用力的方向是什么？ 解：把位错1放在x3轴上， 代入两平行位错作用力的普遍公式得： 作用力最大时 因为 所以讨论极值时，只讨论 就够了， 故 θ=0 -j向 θ=π +j向 θ=π/2 -i向 θ=3π/2 +i向 作业题 1、小问答： a）退火时材料中位错密度为什么会降低？ b）表述回复时的多边形化过程。 c）体心立方晶体为什么只有 位错？ d）P-N力公式表示哪些物理意义？ e）什么是位错宽度？它表示了什么物理含义？ 2、一个面心立方晶体从600℃淬火到室温（20℃），估计位错所受的化学力有多大？方向如何？ 3、估计在铁中碳原子和位错的最大交互作用能。RFe=2.52×1010m, 铁的间隙半径为0.154RFe RC=0.77×1010m, G=116GPa. 4、拉伸试验应变速率是10-4/秒，运动位错的密度估计为1012/m2,估计位错运动的平均速度。b=0.3nm。 2.6.5 位错受的化学力(攀移力） ﹡化学力：晶体中由于空位不平衡，而使位错攀移的力。 外应力场σ11。位错b=b1. t3=1 由此 位错是空位源与空位阱。当位错向下运动时，不断放出空位，此时空位将超过此条件下的平衡浓度，增加了晶体的熵，但同时也增加了内能。 此时，有一个反向作用力Fc，使空位朝位错上沉积，要使位错向上运动，该力称为化学力，实际上是过饱和空位对位错的作用力。 假设形成一个空位的能量为θ，形成一个空位的体积变化为V,一个空位的平均熵为： 晶体中有N个位置，NV个空位，而 所以 ﹡化学力影响位错的公式 2.7 位错的映象力 位错运动到表面，晶体的能量减少，是一个自发过程。如图，好像表面对位错有一 个吸引力，讨论时，是假定表面另一侧有 一个强度一样的反号位错，相互吸引。若 是螺位错： 而 2.7 位错与点缺陷的作用力 在晶体中存在有点缺陷，引起点阵畸变，产生应力场，与位错的弹性应力场可以有交互作用。 点缺陷产生的球形对称畸变。 假设晶体为弹性的连续介质，内有1柏氏矢量为b的刃位错，位错应力场使点缺陷引起的径向位移δ而作功。 因为产生的径向位移是垂直球面的，是球对称的畸变，故只有位错应力场中的正应力做功，而切应力分量不做功。 位错应力场中正应力分量的平均值