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氧氣-燃料高速火燄噴塗圖示 擷取自: .tw/swl/non/pluasma/pluasma.pdf 電弧噴塗 利用兩根欲噴塗之金屬線穿過特別設計之噴槍, 金屬線帶電形成電弧, 其溫度高於7200℉ , 熔解金屬線並利用壓縮空氣或氮氣將其霧化噴在以已處理過之基材, 形成塗層 擷取自: .tw/swl/non/pluasma/pluasma.pdf 電漿滲氮腐蝕試驗 電漿滲氮條件為在450℃及420℃分別施以25 小時與10 小時。試片在滲氮爐中先經10 分鐘的電漿清潔，除去原生氧化層，然後再經4 小時的升溫至滲氮溫度作滲氮處理。 Schematic diagram of ASPN facility 在半導體製程中，蝕刻（Etch）被用來將某種材質自晶圓表面上移除。蝕刻通常是利用腐蝕性物質移除部份薄膜材料，以達到產生所需圖案（Pattern）之技術。一般將蝕刻分為濕式蝕刻和乾式蝕刻，而乾式蝕刻（Dry Etching）又稱為電漿蝕刻（Plasma Etching）且屬於非等向性蝕刻，所以是目前最常使用的蝕刻方式。 指電漿將蝕刻氣體解離成各種離子，然後這些離子對薄膜或晶圓產生化學反應；此法的優點是我們可以藉由材料的選擇來決定蝕刻的大小、範圍，缺點是不具有非等向性蝕刻的效果。 反應式離子蝕刻（Reactive Ion Etching） 擷取自:NCKU Micro-Nano Technology Center/Southern Region MEMS Center 本文件及文件之內容屬國科會南區微系統研究中心所有，謹供列印閱讀， 未經許可，請勿以任何形式翻製抄襲。 反應式離子蝕刻示意圖 擷取自:NCKU Micro-Nano Technology Center/Southern Region MEMS Center 本文件及文件之內容屬國科會南區微系統研究中心所有，謹供列印閱讀， 未經許可，請勿以任何形式翻製抄襲。 反應式離子蝕刻示意圖 反應式離子蝕刻機 擷取自:NCKU Micro-Nano Technology Center/Southern Region MEMS Center 本文件及文件之內容屬國科會南區微系統研究中心所有，謹供列印閱讀， 未經許可，請勿以任何形式翻製抄襲。 反應式離子蝕刻機 慶康科技 Type: OMNI-RIE Voltage: 220 V References 荣烈润 上海市静安区职工大学 《航空精密制造技术》2005 年第2 期 丁建國 科技與化學－化學機械研磨漿料相關介紹哲學四 張 耿 維 國立 中 央 大 學機 械 工 程 研 究 所 博 士 論 文 磁力研磨與電解磁力研磨之拋光特性研究 超精密加工技術 高道鋼 編譯 全華科技圖書股份有限公司 印行 羅勝益、顏木田、蔡傳暉 華梵大學機電工程學系 何炳興 國立中央大學 機械工程研究所 碩士論文 精密磨削(Precision Grinding) .tw/lifung/article.php?pbgid=24968entryid=591384 邱六合 陳繁雄 張記銨 葉書宏 溫華葦 不銹鋼經活化網罩電漿滲氮之腐蝕性質之研究 NCKU Micro-Nano Technology Center/Southern Region MEMS Center 擷取自: .tw/swl/non/pluasma/pluasma.pdf Student: wenjheng Lin Adviser: Liren Tsai Precise grinding polishing Outline Introduction-----------------------------------------------(5) 超精密拋光方法介紹-----------------------------------(6) 各種材料之拋光盤及研磨粒子比較表 Free Abrasive Machining 水合研磨拋光--------------------------------------------(9) 液面研磨拋光--------------------------------------------(10) 拋光機械化學(固向反應)-----------------------------(11) 拋光機械化學(固向反應)過程 拋光機械化學(固向反應)示意圖 離子束拋光-----------------------------------------------(14) 離子束拋光機 電解拋光------------------------------------------