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5.3 结型场效应管(JFET) 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 第四章小结 本章习题 本章小结 引 言 BJT是电流控制电流器件，而场效应管是电压控制电流器件。 场效应管的特点： 体积小，重量轻，耗电省，寿命长，输入阻抗高，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，制造工艺简单。特别在大规模、超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 场效应管分为两大类： 结型场效应管(JFET)、金属－氧化物－半导体场效应管(MOSFET)。 返回 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.5 MOSFET的主要参数 返回 5.1 金属－氧化物－半导体场效应管 (MOSFET) JFET的直流输入电阻就是PN结的反向电阻，达106～109欧姆。MOSFET的栅极与硅衬底之间隔着二氧化硅绝缘层，利用半导体表面的电场效应进行工作，称之为表面场效应管，输入直流电阻可达1015欧姆。 场效应管的两个概念： 耗尽型：vGS=0时，存在导电沟道，iDS≠0。 增强型：vGS=0时，没有导电沟道，iDS＝0。 JFET只有耗尽型。 MODFET既有耗尽型，也有增强型。 返回 5.1.1 N沟道增强型MOSFET S：源极 G：栅极 D：漏极 B：衬底 d：氧化层厚度 L：沟道长度 W：沟道宽度 1.结构 符号 返回 2.工作原理 反型层导电沟道 (1)VDS=0 VGS=0，↑相对G电极的衬底感应电子。 VGS ↑ =VT，衬底感应足够的电子，形成反型层导电沟道。 P型衬底 (2) VDS0 VGS=0，S、D间为两个背对背的PN结。定有一个反偏，无电流。 VGS↑≤ VT ，SD无电流。 VGS↑VT ，SD电流↑ 。 VGS－VDS VT，SD间恒流。 VT：开启电压。 返回 3.特性曲线 Ⅰ可变电阻区，Ⅱ恒流区，Ⅲ击穿区输出特性 转移特性 在恒流区内(vGSVT)， 4.参数 参数内容与JFET基本相同。 但JFET用夹断电压VP，增强型场效应管用开启电压VT表征管子特性。主要参数在书中p210表5.1.1。 返回 1. 结构 制造时，在二氧化硅中注入高浓度正离子，将P型硅衬底中少子－电子感应到表面，多子被排斥，形成导电沟道和耗尽区。 5.1.2N沟道耗尽型MOSFET 2. 工作原理 vGS=0时，SD间在VDS作用下就有电流iD。 工作时，vGS可正可负。由于二氧化硅的绝缘，iGS=0。 反型层导电沟道 耗尽层 耗尽型MOSFET符号 增强型MOSFET符号 返回 3.V-I特性曲线 N沟道耗尽型MOS 管的输出特性和转移特性曲线，如图所示。 返回 5.1.3 P沟道MOSFET （a）P沟道增强型MOSFET （b）P沟道耗尽型MOSFET P型MOS管也有增强型和耗尽型两种。为了能正常工作，P型MOS管外加的vDS必须是负值，开启电压VT也是负值。实际的电流方向为流出漏极。 P沟道增强型MOS管沟道产生的条件为： 返回 5.1.4 沟道长度调制效应 实际MOS管在饱和区的输出特性曲线还应该考虑vDS对沟道长度L的调制作用，当vGS固定，vDS增加时，iD会有所增加。 以N沟道增强型MOS管为例，考虑到沟道调制效应后， λ为沟道长度调制参数，对于典型器件，可近似为 式中沟道长度L的单位为μm。 返回 5.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 1. 开启电压VT 2. 夹断电压VP： 3. 饱和漏极电流IDSS： 4. 直流输入电阻RGS： 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 MOS管的RGS可达109Ω－ 1015Ω 。 增强型MOS管的参数 。 漏源之间短路，栅源之间加一定电压时的栅源直流电阻 。 返回 5.1.5 MOSFET的主要参数 二、交流参数 1. 输出电阻rds 输出电阻是输出特性上某一点上切线斜率的倒数。 2. 低频互导gm 互导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，相当于转移特性上工作点的斜率。 返回 5.1.5 MOSFET的主要参数