集成光電子學進展ProgressinIntegratedOptoelectronics第11號.doc

 集 成 光 电 子 学 进 展 Progress in Integrated Optoelectronics 第11号 主办单位 集成光电子学国家联合重点实验室 2003年2月 顾问委员会 (按姓氏笔划排序) 王启明 陈良惠 张以谟 张克潜周炳琨 高鼎三 梁春广 简水生  编委会 (按姓氏笔划排序) 主 任： 罗 毅 副主任： 黄永箴 委 员：王玉堂 刘式墉 任晓敏 余金中 杜国同 杨 辉 林世鸣 范希武 董孝义  责任主编：王 莉 集成光电子学进展通信处： 北京912信箱图书信息中心 邮编：100083 电话 E-mail: lwang@ 目录 半导体有源材料和器件 1.55微米锗硅光电探测器的研究进展 (2) 硅发光与砷化镓发光一样好 (9) Si基高速OEIC光接收机芯片的研究 (11) 光纤光栅外腔半导体激光器 (19) 量子信息学 量子信息学的奥秘 (28) 高技术简讯 由环形布拉格光栅构成的微齿轮激光器 （37） 纳米晶体激光器发射蓝光 (37) 微型激光器引发芯片革命 (37) 新型可调谐激光器 (38) 双色光栅耦合红外光电探测器 (39) 超晶格和阻隔势垒构造出多波长红外探测器 (39) 制成碳纳米管场效应晶体管 (39) 南加州大学的聚合物微电-光调制器首次亮相 (40) 采用微机电系统调谐激光 (40) 光纤传输速度理论极限提高10倍 （40） 半导体有源材料和器件 1.55微米锗硅光电探测器的研究进展*  李传波 黄昌俊 王启明 （中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京 100083） 摘 要 本文从材料的生长、器件结构的选择等方面对1.55μm锗硅光电探测器的研究进展进行了综述，对锗量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。 关键词 锗硅；探测器；量子点；RCE  随着光通信技术的发展，制备响应波长在1.3和1.55μm（石英光纤低色散低损耗窗口）并具有高速度、高量子效率和低暗电流的光电探测器以及实现光电集成一直是人们追求的目标。早在1995年，Ejeckam[1]将InGaAs/InP材料键合在硅衬底上制备了响应波长在1.55μm、外量子效率为80％的PIN结构的光电探测器，在－5V时其暗电流只有0.29nA。虽然Ⅲ－Ⅴ材料在这方面的工艺已经比较成熟并已进入产业化阶段，但其昂贵的价格（比硅材料贵十倍以上）、较差的热学机械性能、比较差的晶体质量以及不能与现有的成熟的硅工艺兼容等缺点限制了其在硅基器件方面的应用。SiGe材料可与现有的成熟的硅工艺完全兼容，通过调节锗的组分和引入表面起伏可以使探测器响应波长工作在1.3和1.55μm，引起了人们很大的兴趣，这方面的任何突破性进展都将大大促进硅基光电子学的发展。 一 材料的生长  对于光电子学来说，高性能器件的制备是以高质量材料的生长为前提的。 硅锗材料之间存在4.2％的失配，直接在硅材料上生长锗层会产生较大的应力，从而引入较高的位错密度使得器件有较大暗电流，不能满足制备高性能探测器的要求。 *国家重点基础研究发展规化（973）项目（No.G200036603)和国家自然科学重大基金（No项目资助 李传波，男，1976年7月出生，博士研究生 生长高质量的硅锗合金多量子阱是一种可行之法并用之成功地制备了响应波长在1.3μm的探测器。但由于受临界厚度和量子限制