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Analysis Active Clamp Forward Converter Abstract Introduction Resonant * * 老師:徐晉元 學生:張丁元 學號:1094318121 Bor-Ren Lin, Huann-Keng Chiang, Chien-En Huang and David Wang Kao-Cheng Chen Mean Well Enterprises Co., Ltd. Department of Electrical Engineering No. 28, Wu-Chuan 3rd Road, Wu Ku Ind. Park, National Yunlin University of Science and Technology Taipei Hsien 248, Taiwan, ROC 利用輔助開關跟箝制電容去回收儲存在漏感的能量,以減少變壓器一次測的突波電壓,因此可以減少主開關的電壓應力. 主動式箝制電路使用開關內部電容與變壓器漏感,來達到開關turn on ZVS的作用. 硬開關技術(使用在forward)會造成低效率與變壓器漏感產生在功率半導體的高電壓.電流應力. 傳統的被動箝制電路以箝制電阻消減漏感能量,故降低了開關的應力,但對於效率上並沒有很大的助益. 以主動箝位的架構來改善上述缺失. Lr *diL/dt + vc = Vd ~ Lr[S*IL(S)-ILo] + Vc(S) = Vd/S ~ Vc(S) = Vd/S-[Lr*S*IL(S)-Lr*ILo] (1) Cr*dvc/dt = iL ~Cr[S*Vc(S)-Vco] = IL(S) (2) (1)代(2) ~ IL(S) = Cr{S*[Vd/S*(Lr*S*IL(S)-LrILo)]-Vco} =Cr*Vd - S^2*LrCr*IL(S) + Lr*Cr*S*ILo – Vco*Cr ~IL(S)*(1+S^2*LrCr) = Cr*(Vd-Vco) + S*Lr*Cr*ILo ~IL(S) = Cr(Vd-Vco)/(1+S^2*LrCr)+SLrCr*ILo/(1+S^2*LrCr) ={[Cr/(LrCr)]*(Vd-Vco)}/[1/(LrCr)+S^2]+S*ILo/[1/(LrCr)+S^2] 假設: 1.所有半導體元件為理想性的. 2.箝制電容Cc大於共振電容. 3.輸出電壓為定值(輸出電容大) . 4.流入輸出電感上的電流為定值(輸出電感很大) . 5.共振電感極小於激磁電感. 6. n=Np/Ns . 7.儲存於共振電感上的能量要大於儲存於共振電容上的能源以達到主開 關ZVS . System Analysis Lm~激磁電感 Lr(共振電感)~漏感和外加電感 Cr(共振電容)~主開關(s1)和輔助開關(s2)的寄生電感 伏特-秒平衡(主開關包含內部二極體導通與截止時): Vc= D*Vin/(1-D)=n*Vo/(1-D) (1) 忽略Lr ps:Vo/Vin=D*1/n Vin*{Lm/(Lm+Lr)} -Vc*{Lm/(Lm+Lr)} State 1 [to t t1; Fig. (a)]: 此階段止於t=t1,此時S1關斷 State 2 [t1 t t2; Fig.(b)] t=t1 S1 截止. 共振: Cr, Lr,Lm. 此階段Vcr少於Vin+Vc=Vin/(1-D)故ic=0,箝制電壓等於Vc,結束於Vcr=Vin (t=t2) State 3 [t2 t t3; Fig. (c)]: t2時VCr= Vin,t3時 Vcr= Vin+ Vc. D3和D4同時導通故Vp=0 共振:Lr,Cr. State 4 [t3 t t4; Fig. (d)]: Vcr大於 Vin+ Vc ,D2導通,由於ic為正故S2可達到ZVS iS1約等於零,iD3將降為零,iD4將等於輸出負載電流,Vp等於零 共振:Lr,Cc State 5 [t4 t t5; Fig. (e)]: t=t4時id3=0,id4=iLo,Vp= -Vc*Lm/(Lm+Lr). Lm,Lr的能量釋放於箝制電容因此iLr下降,此階段結束時iLr=0. 共振:Lm,Lr,Cc State 6 [t5 t t6; F