窦维平镀铜文献翻译讲述.docVIP

循环伏安法筛选盲孔镀铜加速剂 窦维平 国立中兴大学化学工程系，台中40227，台湾系 摘要：循环伏安检测法（CV）在这项工作中，提出确定一个印刷电路板（PCB）的盲孔的超填孔镀铜的有效的加速剂。五个典型有机硫化物DES用作模型添加剂来评价筛选方法的性能。这五个有机硫化物是3-巯基-1-丙磺酸盐（MPS），双（3-磺丙基）二硫化物（SPS），3-巯基丙酸（MPA），3-巯基-1-丙醇（MPO），和3，3-硫代双（1-丙磺酸盐）（TBPS），其中的MPS，MPA，和MPO含有硫醇头部基团，SPS含有二硫化物基，TBPS含有硫醚基团。MPS，SPS，和TBPS具有磺酸盐的一个或两个端基，而MPA具有羧基里克羧酸的终端基团，和MPO具有醇的端基。循环伏安法揭示了，MPS，SPS和TBPS是铜电镀的加速剂而MPA和MPO并不是。一个特定的铜沉积高峰，具体来说，该α峰值，在CV模式里出现是加速剂筛选的指标。这项研究是首次表明TBPS具有硫醚基，而不是一个硫醇基团能加速铜电镀，可用于印刷电路板的盲孔的超填孔镀铜。 最近，因为铜电镀在电子产品用高密度互连板（HDI）的制造中使用的相当多，铜电镀已经吸引了相当的关注。1-7上游半导体芯片，下游封装基板，印刷电路板（PCB）的所有的技术都需要的铜电镀技术填补纳米和的微米尺度的通孔或沟槽。2-6，8-12最近，在微米测量三维（3D）芯片堆叠封装工艺也需要一种特征尺寸铜电镀技术以填充穿透硅通孔（TSV）。13-19 有机添加剂被用来实现由具有优良性能的铜沉积完成电子电路填充的目标，并且这些添加剂在铜镀浴中起到关键作用。8，10，20-23对于微孔多氯联苯灌装，具体的电镀铜配方必须能够自下而上填充或超填孔而不形成的微孔的空隙中。12，24-26为了满足这一要求，多种有机添加剂，如抑制剂，加速剂和整平剂，必须同时加入到铜电镀液。抑制剂是由聚乙二醇（PEG）和氯离子组成的;27-30加速器通常由3-巯基-1-丙磺酸盐（MPS）或二（3-磺丙基）二硫化物（SPS）和氯离子组成的;整平剂通常是染料。25，26，32吸附特性和一个铜电极上SPS和MPS的加速机制已通过各种手段被广泛研究。21，33-37然而，很少有报道涉及到分子结构，可以作为通过电镀铜为微孔填充的加速剂作用。迄今，硫醇和磺酸基团已被证实为加速铜沉积必要官能团。31，38-40因此，SPS和MPS是在氯离子的存在下加速铜沉积有效的添加剂。 其它有效的添加剂用于加速铜沉积包括3-N，N-二甲基硫代氨基甲基-1-丙磺酸（DPS）41-44和3，3-硫代双（1-丙磺酸）（TBPS）。45，46然而，这两种化合物含有磺酸基，但没有一个二硫化物或硫醇基。因此，识别分子结构和官能团对理解铜沉积的加速机制是必要的。然而，在铜沉积时有效的加速度并不意味着镀铜中一定能够促进微孔的自下而上填充，因为抑制剂和加速剂是同时存在于镀液中。因此，没有镀铜式之前，包括TBPS的使用已经显示，实现了微孔的自下而上填充。 在这项工作中，一个简单的方法，提出了筛选可配制用于微孔的底部向上填充的加速剂。该方法的基本概念是基于二硫化物或硫醇的分子上的Au电极上的自组装单层（SAM）。25，38，39，45-51如果有机添加剂可以与氯离子相互作用以加速铜成核和沉积，则添加剂可以吸附到铜或金表面并能在电镀过程中在铜表面流动。31，38，39有机添加剂的流动特性决定了它的加速能力。31，38，39循环伏安法（CV）可以被用于表征加速能力，在使用Au电极加速器的能力的流动能力。39，51CV在包含铜离子，H2SO4，PEG和氯离子的电解质溶液中进行。铜电镀的一个特点电流峰值，特别是高峰期，被归因于加速剂的作用。加速剂在铜表面上所引起的铜电沉积的加速作用，是其流动能力和转运能力铜表面上所结合的作用。39，51 在这里，在中，我们研究5种有机硫化物，如示于图1，使用CV方法测试在铜上沉积的加速效果。五个有机硫化物含有不同的官能团，包括二硫化物（即，SPS），硫醇（即，HS-R-X中，X=SO3Na，COOH，和OH）和硫醚基团（即，TBPS）。正如预期的那样，只有一种有机添加剂，可以出现在CV曲线的电流峰，可以加快铜沉积，这是与实际填充电镀结果相一致的结论。此外，一个新的加速剂，TBPS，其既没有硫醇也没有二硫化物官能团，相应地配制成用于微孔的超填孔一个可行的电镀液。 实验 使用恒电位仪（PGSTAT30，AUTOLAB）配有一个三电极电池体系中进行通过循环伏安（CV）测定铜电沉积的变异系数和铜电沉积的表征。工作电极（WE）是一个多晶金旋转圆盘电极（金-RDE）的直径为3毫米;对电极（CE）是一个小铜条;参考电极（RE）是饱和的汞硫酸亚汞电极（SMSE）。CE与RE置于含有电解质（0.88mol/L