硅微条探测器分析.pptVIP

硅微条探测器Silicon Strip Detector;;;;;;;;;;;从探测器横截面上看, 主要分这样几个部分: 探测器表面: 有薄铝条, SiO2隔离条, 铝条下边是重掺p+条。 中间部分: 是厚度大约为300μm 的高阻n 型硅基, 作为探测器的灵敏区。 底部: 是n 型硅掺入砷(As) 形成重掺杂n+ 层和铝薄膜组成的探测器的背衬电极。;微条(strips)是探测器的信号读出条, 它的宽窄和间距将影响探测器的空间分辨率。 保护环(Guard rings)在探测器的四周, 起到屏蔽保护作用, 使探测器降低了噪声, 提高了抗辐射能力。 多晶硅偏压电阻(Poly-silicon bias resistors)是集成在硅片上的, 它对于每个微条起保护作用，可以降低漏电流, 从而降低噪声。 偏压连接带(Bias trace)是连接偏压电源到每一个微条的连接带。 直流接触片(DC contact pad)是作直流耦合输出的接触点。 交流接触片(AC contact pads)是交流耦合输出的接触点, 一般信号读出是通过它们连到前置放大器的。;;;;;;;;;双边读出的硅微条探测器;像素(Pixel) 探测器;电荷耦合器件CCD (Charge Coupled Device) ;硅漂移室;当带电粒子穿过探测器时产生电子空穴对, 电子就会落入低电位的谷中, 然后沿着电场的x 方向分量向微条n+漂移,形成电信号。 通过测量电子的漂移时间及被分割开的n+读出微条上的坐标就得到了入射粒子的两维位置信息。另外, 电子在耗尽区漂移很长距离才到达面积很小的正电极, 电极之间的电容很小, 因此噪声减小, 有利于提高能量分辨率。 普通的半导体探测器的计数率一般在几十kHz 以下, 硅漂移室由于其电容小, 相应的脉冲成形时间也很短(大约为100n s) , 硅漂移室的漂移时间虽然比较长, 但它的计数率并不受此影响, 硅漂移室允许计数率比一般的半导体探测器高几十倍。它的时间分辨可小于1ns, 并且它有两维的位置分辨, 其中按漂移方向的位置分辨率可达到几个μm。 它的缺点是电极结构复杂, 探测器价格较高。;;硅微条室用作ATLAS顶点探测器;硅片探测器