半导体接触理论.doc-大安高工电机科.doc

金屬_半導體接觸理論 1-1何謂場效電晶體FET 電晶體的分類，主要可分為雙極性接面電晶體與場效應電晶體兩大類，一般場效電晶體(Field Effect Transistor，FET)和雙極電晶體一樣，都具有三隻接腳，不過工作原理卻完全不同。FET的控制接腳稱為閘極(gate，簡稱G極)，主要是靠電壓大小來控制FET的另兩隻接腳源極(source，簡稱S極)與汲極(drain，簡稱D極)之間的電流大小。不過半導體中的電流可以是電子流或電洞流，利用電子流來工作的稱為N通道場效電晶體(n-channel FET)，利用電洞流來工作的稱為P通道場效電晶體(p-channel FET)。N通道FET的源極提供電子，經過N型通道，到達汲極，電流方向是由汲極流向源極；P通道FET的源極則提供電洞，經過P型通道，到達汲極，電流方向是由源極流向汲極。通道的特性和其附近的電場有關，該電場可由閘極的電位來控制，故此類電晶體稱為場效電晶體。與雙極性接面電晶體利用基極B之電流來控制集極C與射極E之間的電流大小類似，但控制的方法卻不同。雙極性接面電晶體是利用電流來控制電流，而場效電晶體卻是利用電壓來控制電流，兩者有很大區別，由於FET工作時只利用到多數載子，和少數載子的特性無關，故均屬於單載子元件(unipolar devices)。 FET的種類除了依導通用的載體種類來分外，還可依照閘極的結構來分。FET閘極結構有很多種類，這裡介紹兩種最常見的，一是逆向偏壓的PN接面，稱為接面場效電晶體(junction field effect transistor，簡稱JFET)，另一種是閘極金屬、絕緣氧化物和半導體形成類似電容的結構，稱為金屬氧化物半導體場效應電晶體(金氧半場效電晶體metal-oxide-semiconductor field effect transistor，簡稱MOSFET)。 1-2場效電晶體的物理結構與特性 1-2-1接面型場效應電晶體JFET之構造與特性 在此以N通道JFET為例來做說明，如圖(1)為一個N通道JFET的結構示意圖，源極與汲極以N型半導體通道連結，閘極則是P+(高摻雜濃度)型半導體，再藉由歐姆接點接腳連到外部電路。改變閘極的偏壓VG（圖中兩個閘極連結到同一電位）可以調整空乏區的寬度(假設源極的電壓設在0V(接地))，因而N型半導體通道的厚度 t 會改變，源極與汲極間的電阻 （是N型半導體的電阻率，W是通道寬度，L是通道長度）也跟者改變。閘極的逆向偏壓愈大(電壓負得越大)，PN接面的空乏區愈寬，由於N型通道摻雜的濃度遠較P+型半導體摻雜的濃度低，故增加的空乏區大都在N型通道區中，通道厚度 t 變小，RDS 愈大。當閘極電壓負到一臨界值時，N型通道內的空乏區寬度會大到使N型通道完全消失，這時稱此通道被夾止(pinch off)，電阻值變成很大，此時的閘極電壓值稱為夾止電壓(pinch-off voltage)Vp。這裡要注意，JFET操作時，絕不允許閘極和源極或汲極間的PN接面被導通(接順向偏壓)，閘極的直流電流幾乎為零（只有PN接面的逆向飽和電流），否則源極-汲極間的導電特性便無法控制。 又n通道JFET 的源極定義為提供通道電子的電極，而電子經由源極流入n型通道，電流由汲極經通道流向源極，故汲極的電位一定較源極為高，即VDS=VD-VS0，假如VDS0，我們必須將源極-汲極對調以符合他們的定義。 圖(2)是JFET的電路符號。圖(3) 是加上偏壓的N通道JFET，VGS 控制PN接面的逆向偏壓，即控制N通道(汲極與源極間通道)的厚度t，VDS 則控制汲極與源極間的電流ID。 圖(4) 為當VDS 很小時，對於不同VGS的典型ID 對VDS的關係圖。當VGS 由0V 變得較負時，通道變薄，RDS 增加，對於相同的VDS，ID 變小(直線的斜率越大，阻抗值愈小)；當VGS 小於Vp(在這裡是-2.0V)，通道完全被夾止，不再導通，ID=0，這個操作區稱為截止區，和BJT 類似。 上面討論的是在VDS 很小的情形下，閘極-源極和閘極-汲極間的逆向偏壓差不多，通道上的電位變化不大，所以源極到汲極間的通道厚度的變化也不大，通道可視為一截面均勻的電阻，故ID 對VDS特性圖為直線。圖(5)(a) 為VGS 固定在某電壓（例如-1V），VDS在幾個由小到大的值，對應的空乏區與通道的變化，以及在ID 對VDS 圖上的位置（藍色圓點）。若VDS 變大，VGS 和VGD 大小不同，0VGSVGD (=VGS-VDS)，或|VGS||VGD|，也就是說靠近汲極的PN 接面逆向偏壓較靠近源極的來得大，靠近汲極的空乏區比較寬，因此通道的厚度也較薄。其他通道中沿源極與汲極連線上每一點的電位介於源極與汲極的電位之間，通道