电工电子技术教学课件作者少学时教学课件作者第4版林平勇课件习题答案ch101课件.pptVIP

10.1 半导体的基本知识 10.1.1 半导体的导电特征 10.1.2 N型半导体和P型半导体 10.1.1 半导体的导电特征 半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 载流子 — 自由运动的带电粒子。 共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。 +4 +4 +4 +4 硅(锗)的原子结构 Si 2 8 4 Ge 2 8 18 4 简化 模型 +4 惯性核 硅(锗)的共价键结构 价电子 自 由 电 子 (束缚电子) 空 穴 空穴 空穴可在共 价键内移动 本征激发： 复 合： 自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。 漂 移： 自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。 在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。 两种载流子 电子(自由电子) 空穴 两种载流子的运动 自由电子(在共价键以外)的运动 空穴(在共价键以内)的运动 半导体的导电特征 I IP IN I = IP + IN + – 电子和空穴两种载流子参与导电 在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流IN 。空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流IP 。 结论: 1. 本征半导体中电子空穴