高导热性氮化铝陶瓷基板.pdfVIP

第 6 卷 第 6 朔 1 p 7 8年1 2 月 电 子 元 件 与 材 杆 V o l . De e . 6 N o 。 6 1 9 87 高 导 热 性 氮 化 铝 陶 瓷 基 板 在混合微电子学领域 中 , 广泛使用电气 绝缘 、 机械强度都优良的氧化铝陶瓷作为安 装半导体器件 、 制作无源元件用的基板 。 但 是 , 随着电 一 子设备仪器的小型轻量化 , 以及混 合集成度大幅度地提高 , 使得基板上单位面 积所需的散热量不断增大 , 特别是在大功率 电路中更为显著 。 氧化铝陶瓷由于导热性较 差 〔室温时导热率约 17 w 八m · K ) 〕 , 而不 能适应这种状况 。 在这种情况下人们采用所 谓复合结构基板 , 在高散热密度部分采用氧 化铁陶瓷板或钥基板 , 其它部分仍用氧化铝 陶瓷基板 , 以适应高散热密度 的 要 求 。 但 是 , 复合结构基板在价格 、 电性能 、 热性能 等方面还不十分令人满意 , 迫切要求研制出 适合于高集成度 、 高散热性混合集成 电路用 陶瓷基板 。 混合集成电路用陶瓷基板材料及半导体 芯片材料的热导率和热胀系数如图 1所示 。 好的金硅焊料 、 错锡焊料将它们直接焊接在 一起 。 铝的热导率还不够很高 , 因而散热也 不是很充分 。 碳化硅陶瓷热导率很高 , 但其 介 电系数大 ( IM H Z时 。 = 4 0 ) 、 抗 电 强 度 很低 ( I OV /m m ) , 限制了它在高压 、 高速 电路中的应用 。 本文所介绍的氮化铝陶瓷基 板就是解决高散热密度问题的一种新型的 、 最适合于半导体芯片安装用陶瓷基板 。 5 iC B e O o ^ 一N o O 5 1 ` . , 二 . O M o . 一 、 , ~ G a A s . 氮化铝说的甚板特性及塞本制造方法 氮化铝是一种非天然存在的人造晶体 , 具有六方晶系纤锌矿晶体结构 , 为共价键很 强的化合物 , 质轻 ( 比 重 为 3 . 6 1 ) , 强度 高 , 高耐热性 ( 分解温度 2 7 8 9 K ) , 耐腐蚀 。 曾被用作熔化铝的柑锅 。 氮化铝虽然属于半导体 , 但 其 禁 带 宽 ( E : = 6 . 2 e V ) , 在抗电强度 、 体电阻率 、 介电系数诸电性能方面 , 完全可将它划属于 绝缘体 。 氮化铝具有压电性 , 已有人利用其压电 性研制新型的表面波器件 。 实际上 , 氮化铝单晶的热导率约2 50 w / ( m . K ) , 该值与氧化被陶瓷的热导率大致 相等 。 从理论上讲 , 室温时氮化铝单晶热导 率可达 3 20 W (/ m · K ) , 所以氮化铝材料很适 合于作高散热基板 。 氮化铝在常压下无熔点 , 为难烧结性物 质 , 一直采用热压烧结法制作陶瓷 。 经过多 年的努力 、 人们终于研制出了一种添加剂 , 它既能使常压烧结成为可能 , 又能大幅度地 提高热导率 。 图 2 为氧化忆添加剂使热导率 提高的显微结构模型 。 在无添加剂的烧结体 编译 ù U ` 廿民甘n ó晚U?Un,曰 .“n舀,几 (片 . 借t日 .ó)八滋洲签介狡 A l念0 , _ ! 。 1 0 1 。 … … 3 4 5 6 7 8 热帐系玫 铭. ~ 40 0℃ ) ( x 10一 k` . ) 图 1 在氧化被陶瓷基板上安装硅芯片时 , 由 于二者的热胀系数相差较大 , 不能用导热良 贾超义根据 《 电子材料 》 ( 日 ) V ol . 25 , N o . 5, P . 40 ~4 6 . 6 1 . 筑团挤层 Al 一 O 一 X化会物 O 化合物 成多层布线陶瓷基板 。 氮化铝陶瓷的特性见 表 1 。 表 1氮化铝陶资的特性 (东芝公司 ) 软固浪层 热传导率 (室温 ) : 1 0 0~1 7 0W /m ( · ) K 体电阻率 (室温 ) : 1 01`Q 一 m 密 度 . 3 . 9 3c /m . a (》 无添加荆的烧结体 (热压烧结 ) (的 添加 YIO .的烧结休 (常压烧结 ) 介电系数 (室温 )。 IMH z :8 。 8 gG H z . 7 。 8 中 , 氧在氮化铝晶粒边缘以固溶形式存在 , 晶粒间界处为 “ 铝 一 氧 一 氮 ” 化合物 , 声子 散射强 , 热导率低至 40 ~ 60 W (/ m · K ) , 添 加氧化忆的烧结体 , 在氮化铝晶粒的三重点 处 , 氧化忆俘获氮化铝原料中的氧和迁移性 杂质 。 由于 “ 忆 一 铝 一 氧 ” 化合物在三重点 以点状或柱状形式存在 , 声子散射弱 , 热导 率大幅度提高 。 图 3 给出了氮化铝原料中的氧含量 、 添 加剂与热导率的关系曲线 。 由图可见 , 氮化 铝烧结体