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河 北 科 技 大 学 基础课教学部 第 7 章 半导体器件 第七章 半导体器件 内容提要 半导体器件是电子电路的核心器件。本章首先介绍了半导体的基本知识，然后讲述了两种常用半导体器件（半导体二极管和半导体三极管）的工作原理和基本特性。本着“管为路用”的原则，在了解其基本原理的基础上，重点掌握它们的应用。 7.1 半导体基础知识 导体：金属一般都是导体。 绝缘体（电介质）：如橡胶、塑料和陶瓷等。 半导体：导电特性介于导体和绝缘体之间， 如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、 氧化物等。 物体 7.1.1 半导体的导电特性 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 一、半导体的主要特征 二、 本征半导体 纯净的半导体称为本征半导体。 1、内部结构 自由电子 空穴 2、导电机理 电子电流和空穴电流相等，并且它们之和为总的导电 电流。 注意： 3.由于热激发可产生电子和空穴，因此本征半导 体的导电特性和温度有关，对温度很敏感。 1.本征半导体中载流子为电子和空穴; 2.电子和空穴成对出现，浓度相等； 三、 杂质半导体 1、N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），就形成了N型半导体。 电子---多子； 空穴---少子。 2、P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），就形成了P型半导体。 空穴---多子； 电子---少子。 注意 杂质半导体中，多子的浓度取决于掺杂原子的浓度； 少子的浓度取决于温度。 a b c b a 一、PN结的形成 P区 N区 7.1.2 PN结 N区 P区 N区 P区 当多子的扩散与少子的漂移达到动态平衡（扩散电流等于漂移电流），形成PN结。 PN结 N区 P区 3. 当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，形成PN结。 1. 由于扩散运动形成空间电荷区和内电场; 2. 内电场阻碍多子扩散，有利于少子漂移; 二、PN结的单向导电性 1、外加正向电压 P区接电源正极，N区接电源负极，又称正向偏置。 内电场 外电场 外电场抵消内电场的作用，使耗尽层变 窄，形成较大的扩散电流，PN结导通。 U 2、外加反向电压 7.2 半导体二极管 7.2.1 二极管的基本结构 1、 内部结构 核心部分 2、图形符号 3、分类 VD VS 7.2.2 伏安特性 正向特性 特点：非线性 反向特性 反向击穿电压UBR 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V 导通管压降，硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V 7.2.3 主要参数 1.最大整流电流IFM 2.最大反向工作电压URM 二极管长期运行时允许通过的最大平均电流。 二极管工作时允许加的最大反向电压，通常为击穿电压UBR的一半或三分之二。 半导体的参数是对其特性和极限应用的定量描述， 是设计电路时选择器件的主要依据。 3.最大反向电流IRM 为了分析问题方便，用线性化的等效模型来代替二极管。 1、二极管等效电路 （1）理想二极管模型 7.2.4 二极管的应用 （2）非理想二极管模型 【例1】画出二极管电路的输出波形（设UD=0）。 二极管整流 2、应用 【例2】画出二极管电路的输出波形（设UD=0.7V） 0.7V 0.7V -3V 二极管限幅 本次课掌握内容 2、N型半导体为电子型半导体； P型半导体为空穴型半导体。 3、PN结具有单向导电性。 4、二极管具有单向导电性。 理想二极管：导通管压降为0； 非理想二极管：（硅管）导通管压降为0.7V （锗管）导通管压降为0.3V 1、本征半导体电子和空穴成对出现，浓度相等; 上次课复习 2、N型半导体为电子型半导体； P型半导体为空穴型半导体。 3、PN结具有单向导电性。 4、二极管具有单向导电性。 理想二极管：导通管压降为0； 非理想二极管：（硅管）导通管压降为0.7V （锗管）导通管压降为0.3V 1、本征半导体电子和空穴成对出现，浓度相等; 7.2.5 常用的特殊二极管 1. 稳压管 1）稳压管的工作原理 稳压管是一种特殊的面接触型硅二极管。 2）稳压管的图形符号 3） 稳压管的主要参数 ①稳定电压UZ UZ是指稳压管击穿后正常工作时，管