32罐罐式煅烧炉烘炉操作规程汇编.doc

目 录 1烘炉的目的 1 2烘炉曲线及烘炉方法 2 3烘炉前的准备 6 4烘炉技术操作 8 5烘炉温度控制 9 6弹簧调整 10 7安全注意事项 10 8烘炉组织机构 12 32罐罐式煅烧炉烘炉操作规程 1烘炉的目的 1.1罐式炉简介 32罐煅烧炉为顺流式八层火道罐式煅烧炉，它是对预焙阳极的生产原料石油焦进行煅烧的主体设备，炉子的结构特点是： 1.1.1主体由粘土耐火砖砌筑，罐式炉的心脏罐体、火道部分使用硅砖砌筑，上下部分和四周使用粘土砖砌筑。 1.1.2炉子每四罐为一组，共八组；八层火道、火道和挥发份道自成一个体系，炉子设置两条预热空气道，一条由炉底通过沿前墙到喷火嘴处，一条由炉底通过折回到炉底四层，利用四层剩余的挥发份提高温度，即可降低炉底温度，又可预热空气。 1.2烘炉目的 罐式煅烧炉的寿命长短主要与耐火材料质量、砌筑质量及使用维护等三个方面有关，其中罐式煅烧炉的烘炉质量的好坏直接影响到罐式炉的使用寿命和安全生产。 烘炉就是对新砌炉子进行加热，把炉内的水分逐渐烘干，消除内应力，增加泥浆的粘结力，提高炉体的强度，同时对砌体进行高温烧结，使其达到正常生产时的热状态。 随着温度的变化，组成硅砖的主要成分SiO2将发生晶体的转化，因而造成了砖的体积发生急剧的膨胀和收缩。 一般SiO2以三种结晶形态存在，即石英有：α—石英、β—石英，方石英有：α—方石英、β—方石英，磷石英有：α—磷石英、β—磷石英、γ—磷石英。在一定温度范围内，SiO2的不同结晶形态及其同素异构体是比较稳定的，但是如果超过了这一温度范围，达到晶体转化温度，SiO2的晶体就要发生转变。随着温度的变化，由SiO2的晶体转化所引起的体积急剧变化，一般可以认为是在瞬间完成的（当有矿化剂Ca、Fe存在时转化更快）。 SiO2 在加热和冷却过程中晶体形态转化示意图 所以在117℃、163℃、270℃、537℃、870℃等几个关键升温阶段都是硅砖晶体转换最激烈温度区，并伴随着硅砖的膨胀，因此在关键升温区要缓慢升温。 2烘炉曲线及烘炉方法 2.1罐式煅烧炉有硅砖、粘土砖砌成，硅砖高度4488mm，粘土砖高度2005mm。硅砖线膨胀率共检验三个样：a1＝12.6×10﹣6·k﹣1，a2＝12.79×10﹣6·k﹣1，a3＝12.5×10﹣6·k﹣1；粘土砖的线膨胀率检测两个样：a1＝0.61×10﹣6·k﹣1，a＝0.50×10﹣6·k﹣1；按以上线膨胀率计算，罐式炉总膨胀高度约等于66mm。 2.2根据硅砖的特性日膨胀率为0.02%－0.03%可以保证炉体的完整性。考虑炉子的砌筑材料、施工时间及砌筑质量、烘烤的特点，硅砖的日膨胀率取为0.023%来决定升温速度和烘炉曲线，共需56天，加上保温时间约需62天。 2.3罐式炉烘炉曲线 温度范围/℃ 每小时升温/ ℃/h 需要时间/ h 累计时间/ h 常温－100 1.2 80 80 100 保温拉齐 24 104 100－163 0.4 157 261 163 保温 24 285 163－235 0.25 288 573 235 保温 24 597 235－275 0.25 160 757 275 保温 16 773 275－350 0.4 187 960 350－400 1 50 1010 400－550 1.2 125 1135 550－573 1 23 1158 573 保温 24 1182 573－650 1 77 1259 650－800 1.5 100 1359 800－870 2 35 1394 870 保温 16 1410 870－1000 4 32 1442 1000－1250 5 50 1492 　总计 62天 2.4罐式炉升温以二层温度为升温基准控制点。 2.5采用焦炉煤气为燃料的烘炉方法。 本次烘炉以焦炉煤气为燃料，燃气流量大小采用阀门调节，从而达到升温均匀、可控性强、易于操作和调节、减小员工劳动强度、使温度按照计划进行升温的目的，以确保烘炉的质量。烘炉所需的负压由引风机提供。 2.6温度测量范围及方法 温度测定点以二、八层温度作为控制升温计划的依据。二层温度调节主要靠调整燃料供给量的方法加以控制，800℃以前用镍铬—镍硅热电偶（N型）进行温度测量与监控，同时用光学高温计进行校核，800℃以后采用光电一体化测温仪。八层温度用来控制层间温差，主要采用调节负压的方法加以控制。 2.7负压测量：二层负压测量采用固定方式进行测量，八层采用负压膜合负压计进行测量。 2.8用炉高日膨胀量修正升温曲线。 根据传统的烘炉经验，用炉高日膨胀量来控制升温速度和修正烘炉理论曲线是行之有效的方法，每班定时测量一次。 2.9烘炉初期适当采取大负压操作，排出炉内水气，防止炉内及烟道有凝结水。 2.10烘炉温度达到550