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?2011 飞兆半导体公司 1 FGA60N65SMD Rev. C2 FG A 60N 65SM D — 650 V, 60 A 场 截 止 IG B T 2013年 12月 绝对最大额定值 注意： 1: 重复额定值：脉宽受最大结温限制 符号 说明 额定值 单位 VCES 集电极－发射极间电压 650 V VGES 栅极－发射极间电压 ± 20 V 瞬态栅极－发射极间电压 ± 30 V IC 集电极电流 @ TC = 25°C 120 A 集电极电流 @ TC = 100°C 60 A ICM (1) 集电极脉冲电流 180 A IF 二极管正向电流 @ TC = 25°C 60 A 二极管正向电流 @ TC = 100°C 30 A IFM (1) 二极管最大正向脉冲电流 180 A PD 最大功耗 @ TC = 25°C 600 W 最大功耗 @ TC = 100°C 300 W TJ 工作结温 -55 至 +175 °C Tstg 存储温度范围 -55 至 +175 °C TL 用于焊接的最大引脚温度，距离外壳 1/8，持续 5 秒 300 °C G E C G EC TO-3PN FGA60N65SMD 650 V, 60 A 场截止 IGBT 特性 ? 最大结温：TJ = 175°C ? 正温度系数，易于并联运行 ? 高电流能力 ? 低饱和电压：VCE(sat) = 1.9 V (Typ.) @ IC = 60 A ? 快速开关：EOFF = 7.5 μJ/A ? 紧密的参数分布 ? 符合 RoHS 标准 应用 ? 光伏逆变器、 UPS、焊机、 PFC、通信电源、 ESS 概述 飞兆半导体的新型场截止第二代 IGBT 系列产品采用创新型场截 止 IGBT 技术，为光伏逆变器、UPS、焊机、通信电源、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。 FG A 60N 65SM D — 650 V, 60 A 场 截 止 IG B T ?2011 飞兆半导体公司 2 FGA60N65SMD Rev. C2 热性能 封装标识与定购信息 IGBT 电气特性 TC = 25°C除非另有说明 符号 参数 典型值 最大值 单位 RθJC(IGBT) 结点－壳体的热阻 0.25 °C/W RθJC(Diode) 结点－壳体的热阻 1.1 °C/W RθJA 结至环境热阻 40 °C/W 器件标识 器件 封装 卷尺寸 带宽 数量 FGA60N65SMD FGA60N65SMD TO-3PN 30 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 关断特性 BVCES 集电极－发射极击穿电压 VGE = 0 V, IC = 250 μA 650 V ΔBVCES ΔTJ 击穿温度系数电压 VGE = 0 V, IC = 250 μA 0.6 V/°C ICES 集电极切断电流 VCE = VCES, VGE = 0 V 250 μA IGES G-E 漏电流 VGE = VGES, VCE = 0 V ±400 nA 导通特性 VGE(th) G-E 阈值电压 IC = 250 μA, VCE = VGE 3.5 4.5 6.0 V VCE(sat) 集电极－发射极间饱和电压 IC = 60 A, VGE = 15 V 1.9 2.5 V IC = 60 A, VGE = 15 V, TC = 175oC 2.1 V 动态特性 Cies 输入电容 VCE = 30 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz 2915 pF Coes 输出电容 270 pF Cres 反向传输电容 85 pF 开关特性 td(on) 导通延迟时间 VCC = 400 V, IC = 60 A, RG = 3 W, VGE = 15 V, 感性负载， TC = 25°C 18 27 ns tr 上升时间 47 70 ns td(off) 关断延迟时间 104 146 ns tf 下降时间 50 68 ns Eon 导通开关损耗 1.54 2.31 mJ Eoff 关断开关损耗 0.45 0.60 mJ Ets 总开关损耗 1.99 2.91 mJ td(on) 导通延迟时间 VCC = 400 V, IC = 60 A, RG = 3 W, VGE = 15 V, 感性负载， TC = 175°C 18 ns tr 上升时间 41 ns td(off) 关断延迟时间 115 ns tf 下降时间 48 ns Eon 导通开关损耗 2.08 mJ Eoff 关断开关损耗 0.78 mJ Ets 总开关损耗 2.86 mJ FG A 60N 65SM D — 650 V, 60 A 场