15-16学时-光敏陶瓷讲义.pdfVIP

天津大学材料学院 无机非金属系 光敏陶瓷 戴叶婧 1. 半导体的光电导 photosensitive ceramics 电阻随光照而发生变化的一种功能陶瓷。利用光敏陶瓷这一特 性，可制作适于不同波段范围的光敏电阻器。光敏陶瓷主要是 半导体陶瓷，其导电机理分为本征光导和杂质光导。 半导体中跃迁到导带的电子和在价带出现的空穴，在电场的作 用下都能定向运动而导电，故称之为载流子。 电子的跃迁有各种推动力，当光照射到半导体时，只要光子的 能量大于半导体禁带宽度Eg，就可以使价带电子跃迁到导带 ，在价带中产生空穴，即半导体产生光生载流子，使电导增加 ，这一过程称为光电导。 2 对本征半导体陶瓷材料，当入射光子能量大于或等 于禁带宽度时，价带顶的电子跃迁至导带，而在价 带产生空穴，这一电子-空穴??即为附加电导的载 流子 ，使材料阻值下降； 对杂质半导体陶瓷，当杂质原子未全部电离时，光 照能使未电离的杂质原子激发出电子或空穴，产生 附加电导，从而使阻值下降。不同波长的光子具有 不同的能量，因此，一定的陶瓷材料只对应一定的 光谱产生光电导效应，所以有紫外(0.1～0.4μm） 、可见光（0.4～0.76μm）和红外（0.76～3μm） 光敏陶瓷。 3 本征半导体，处于热平衡状态时，有确定的载流子 浓度，这种处于热平衡状态下的载流子，称为平衡 载流子。 当光注入以后，本征半导体则处于非平衡状态，比 平衡状态多出的载流子称为非平衡附加载流子，载 流子浓度的增加，必然使半导体电导增加，光电流 是非平衡载流子造成的。 4 1）附加光电导率 无光照时，半导体在电场作用下的电导率称为暗电导率 σ0。光照后产生的电导称为光电导。可用下式表示： σ=q(nμn+PμP), n=n0+?n, P=P0+?P 5 附加光电导率为： ?σ=q(?nμn+ ?PμP) 要制造相对光电导大的光敏电阻，希望n0和P0都较 小，因此光敏电阻一 般都是由高阻材料制成的。实 验证明，许多半导体材料的光生电子和光生空穴对 电导的贡献不同，例如CdS空穴多为陷阱所束缚， 因此?n?P， ?σ=q?nμn。 6 2）定态光电导和弛豫过程 在恒定的光照下半导体产生的光电导称为定态光电导 。研究定态光电导的目的就是研究附加光电导率?σ与 哪些因素有关。 若用I表示单位时间单位面积上照射到半导体上的光子 数，I称为光照强度。光照强度一定时 ，光生载流子浓 度与光照时间成线性关系。 光生载流子随时间的变化 7 但是，实际上还存在着电子与空穴的复合过程，因此 光生载流子浓度不与时间呈直线关系，而是至一定时 间达到某个稳定的值。 光照停止后，非平衡复合衡载流子复合和逐渐消失，说明载 流子在导带和价带生存的时间不同，光电导逐渐下降 ，这种现象称为光电导的弛 豫现 象。载流子平均生存 时间称为非平衡载流子的寿命τ，称为弛豫时间。 8 光电导的弛豫过程 9 3）光电导灵敏度及光 电导增 益 在单位光照度下，产生的光电导?σ，称为光电导灵敏 度。 ?σ越大，表示灵敏度越高。载流子的τ越大，说 明弛豫时间越长。但是弛豫时间长，表明光敏电阻对 信号的反应慢，不适用于高频信号。 为适应高频信号，要求弛豫时间足够短。 由此可见，光电导的灵敏度和高频信号对弛豫时间的 要求不同，两者互相矛盾，因此必须根据实用要求选 用和制造合适的材料。 10 a.直接复合 b.间接复合 非平衡载流子复合过程 11 杂质和缺陷这种积累非平衡载流子的作用称为陷阱作用，那些 具有显著陷阱作用的杂质和缺陷称为陷阱中心。 对于电子陷阱来讲 ，电子落入陷阱 之 后，基本本能接与穴不能直接与空穴 复合，必须先激发到导带，然后再通过复合中心复合。电子被 陷阱中心俘获激发之后再复合，