第3章 门电路;目录:;3.1 概述;获得高、低电平的基本原理;正逻辑:高电平表示1,低电平表示0负逻辑:高电平表示0,低电平表示1;数字电路的分类;集成电路;3.2 半导体二极管门电路;2. 二极管的开关等效电路;3.二极管的动态电流波形;3.2.2 二极管与门;3.2.3 二极管或门;二极管构成的门电路的缺点;3.3 CMOS门电路3.3.1 MOS管的开关特性;以N沟道增强型为例;
(1) VIL=0时,D-S间不导通,MOS管截止,ROFF109Ω,开关断开
(2) 加上足够高的+VIH,且大于VGS(th),D-S间形成n型导电沟道,MOS管导通, RON1KΩ,开关接通
D-S间相当于是一个受VI控制的开关;三、 MOS管的开关等效电路;四、MOS管的四种类型;3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理;3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理;二、电压、电流传输特性;二、电压、电流传输特性;三、输入端噪声容限;结论:可以通过提高VDD来提高噪声容限;3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性;一、输入特性;二、输出特性;二、输出特性;3.3.5 其他类型的CMOS门电路;与非门的特点:;3.带缓冲极的CMOS门;3.带缓冲极的CMOS门;二、漏极开路的门电路(OD-OpenDrain门);2.OD门的应
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