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光电测试技术 第四章 光电测试器件--4 光电成像器件 光电成像器件：能够输出图像信息的一类光电器件 工作方式：直视型 非直视型 2 电子图像的能量增强 3 电子图像的发光显示 二 像管的类型与结构 用于直视成像系统的像管，具有多种类型。根据像管的工作波段可分为： 工作于非可见辐射(近红外、紫外、 X射线、γ射线)的像管，称之为变像管； 工作于微弱可见光的像管，称之为像增强器。 1．近贴式像管 近贴式像管的结构如图所示，光阴极在输入窗的内表面，荧光屏在输出窗的内表面，光阴极和荧光屏相互平行。在光阴极与荧光屏之间施加高压时，两电极间形成纵向均匀电场，由光阴极发射出的电子受电场的作用飞向荧光屏，由于间距很近(约 lmm)，所以称为近贴聚焦的电子光学系统。 2．静电聚焦倒像式像管 它们都能形成轴对称的静电场。由静电场形成的电子透镜可使光阴极面上的物像发射出来的电子加速并聚焦于荧光屏上，并形成一倒像。 常用的单级静电聚焦倒像式像管的结构 在通常采用的双球面电极系统中，阳极头部曲面和光阴极球面以及荧光屏都是近似同心球面。由此构成近似的球形对称静电场，使轴外各点的电子主轨迹都是近似对称轴，从而使轴外象差如场曲、像散、畸变等都比双圆筒系统小。 三级级联像管示意图 在实际应用中，为了获得更高的亮度增益，将完全相同的单级像管，用光学纤维面板进行多级耦合。因此像管的输入窗和输出窗都是由光学纤维面板制成，以便将球面像转换为平面像来完成级间耦合。由于每级像管都成倒像，所以稠合的级数多取单数，通常为三级。该像管称为第一代像增强器。 3．电磁复合聚焦式像管 采用平面像场。在平面光阴极和荧光屏之间设置有环形电极，其上加有逐步升高的电压，沿管轴建立起上升的电位；同时管壳外设置有通以恒定电流的螺旋线圈而产生的均匀磁场，由此形成纵向的均匀电磁场。该电磁场使光阴极发射的电子加速并聚焦到荧光屏上成像。只要严格地控制电压和磁场，就可以得到良好的像平面，使荧光屏上获得较高的分辨力。但是由于复合聚焦系统结构复杂、笨重，给使用带来不方便。因此通常只在需要高性能的场合，如天文观察时才使用这种聚焦方式。 4．选通式像管 选通式像管是静电聚焦式像管。它是在普通二电极像管的结构上增加控制栅极而构成的 控制栅极是由靠近光阴极的栅网和阳极孔栏组成。当栅极电位低于光阴极电位时，则形成反向电场使光电发射截止；当正电位的工作脉冲施加在栅极上时，则构成聚焦成像的电场。由此实现了选通式工作状态。 5．变倍式像管 能够改变倍率的像管称为变倍式像管。它具有可变放大率的电子光学系统。由于变倍的同时也必然使焦距发生变化，因此在普通像管内除了加变倍电极外，同时还需要加聚焦电极来补偿像面的变动，所以变倍式像管是四电极结构。 5．变倍式像管 改变像管放大率是通过改变加在像管电极上的电压比值来实现的。当阳极电位与变倍电极电位相同时，像管的放大率等于1；当阳极电位逐渐降低，而变倍电极电位保持不变时，像管的放大率随之下降；阳极电位由15kV调节到3kV时，像管的放大率由 l变为0.2。同时还需改变调焦电极的电位来获得最佳聚焦，保持变倍时的成像质量。 6．带有微通道板(MCP)的像管(第二代像管) 第二代像管与第一代像管的根本区别在于：它不是用多级级联实现光电子倍增，而是采用在单级像管中设置微通道板来实现电子图像倍增的。 近贴式 MCP像管的结构 微通道板近贴于光阴极和荧光屏之间。构成两个近贴空间。因此又称为双近贴式像管。 由于采用了双近贴、均匀场，所以图像无畸变，放大率为 l，不倒像。同样由于近贴，会出现光阴极、 MCP、荧光屏三者之间的相互影响。 第2代静电聚焦倒像式像管的结构 微通道板与光阴极之间采用静电透镜，MCP置于电子透镜的像面位置； 像管中还在阳极与MCP之间设置一个消畸变电极。 由微通道板增强后的电子图像通过近贴聚焦到荧光屏上。由于在荧光屏上所成的像，相对于光阴极上的像来说是倒像，因此称为倒像管。 7．负电子亲和势光阴极像管(第三代像管) 第三代像管是采用了负电子亲和势光阴极的像管。 电子亲和势（能）——晶格中原子捕获一个电子成为负离子所释放出的能量。 8． X射线变像管和 γ射线变像管 X射线和 γ射线变像管是分别将不可见的 X射线图像和 γ射线图像转换为可见的光学图像。 此类变像管只比普通像管多了一个射线转换荧光屏(又称输入荧光屏)。 三 像管的主要特性与参数 1 光谱响应特性 2 增益特性 3 背景特性 4 成像特性 摄像管 能输出视频信号的真空光电管叫做摄像管。 原理：将二维空间分布的光学图像转换为随时间变化的一维电信号 具体步骤：光敏元件接收输入图像的辐照度进行光电转换 电荷存储元件累