1.工艺简介精编.ppt

;课程目标 ;课程目标 模拟IC版图工程师 ;参考文献 ;锗多晶材料制备的点接触晶体管;1959年第一块集成电路：TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片;摩尔定律 ：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。;CMOS工艺特征尺寸发展进程 ;Intel 公司第一代CPU—4004;插槽类型：LGA 2011 CPU主频：3.3GHz 最大睿频：3.9GHz 制作工艺：32纳米 二级缓存：6*256KB 三级缓存：15MB 核心数量：六核心 十二线程 核心代号：Sandy Bridge 热设计功耗(TDP)：130W 适用类型：台式机 倍频：36倍 内核电压：0.6-1.35V ;复习;器件结构类型 集成度 电路的功能 应用领域;按器件结构类型分类;集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目;数模混合集成电路(Digital - Analog IC) ： 例如 数模(D/A)转换器和模数(A/D)转换器等。;标准通用集成电路 通用??成电路是指不同厂家都在同时生产的用量极大的标准系列产品。这类产品往往集成度不高，然而社会需求量大，通用性强。 ; 1. 特征尺寸 (Feature Size) / （Critical Dimension） 特征尺寸定义为器件中最小线条宽度 (对MOS器件而言，通常指器件栅极所决定的沟道长度) ;当前主流8英寸 —12英寸晶圆。 1 inch =2.54 cm; ;术语;Die preparation Wafer mounting 晶圆贴膜 Die cutting 芯片切割 IC packaging 封装 Die attachment 芯片固定 IC bonding Wire bonding Thermosonic bonding Flip chip Wafer bonding Tab bonding IC encapsulation 塑封 Baking 烘烤 Plating 电镀 Laser marking 激光打标 Trim and form 弯脚成型 IC testing ;1 晶体生长;2 wafer晶圆;;12英寸氧化扩散炉;氧化扩散炉装片;300mm LPCVD Silicon Nitride;*;;离子注入;*;*;化学汽相沉积CVD;化学汽相沉积CVD ;;*;*;Here in the Fab Two Photolithography area we see one of our 200mm 0.35 micron I-Line Steppers. this stepper can image and align both 6 8 inch wafers. ;*;*;;;*;;;硅片清洗装置;precision thin film, resistivity, CD and step height measurement. ;检查晶圆 ;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;;