一种芯片焊接凸块及其制备方法.docxVIP

本文介绍了一种集成电路倒装封装用焊接凸块以及制备方法，该凸块具有阶梯结构，包括上部结构和下部结构，上部结构和下部结构具有弧面的侧面，通过提供具有不同刻蚀速度的牺牲层，通过一步刻蚀形成上述具有阶梯结构的焊接凸块，本文的焊接凸块能够适应高密度封装，并且具有较好的应力特征，能够提高倒装封装的电学稳定性和力学稳定性。 当裸片形成之后，为了能够使其与外部电路电连接，就需要对裸芯片进行各种封装，如今集成电路领域，芯片封装的成本已经超过了芯片制造本身的成本。封装对集成电路起着重要的作用，新一代的集成电路芯片出现伴随着新的封装形式的使用。芯片的封装技术已经得到了充分发展，根据类型的不同出现了DIP，QFP，PGA，BGA，CSP，MCM等封装技术，如今的芯片面积与封装面积之比越来越接近于1。随着集成密集度不断的增加，对芯片封装技术的要求也在不断增加。目前最佳的封装技术是倒装封装，是芯片封装领域的一大热点，它既是一种芯片互连技术，又是一种理想的芯片粘接技术．以往的一级封闭技术都是将芯片的有源区面朝上，背对基板和贴后键合，如引线健合和载带自动健全（ＴＡＢ）。倒装封装则将芯片有源区面对基板，通过芯片上呈阵列排列的焊接凸块实现芯片与衬底的互连。硅片直接以倒扣方式安装到ＰＣＢ从硅片向四周引出Ｉ／Ｏ，互联的长度大大缩短，减小了ＲＣ延迟，有效地提高了电性能。显然，这种芯片互连方式能提供更高的Ｉ／Ｏ密度．倒装占有面积几乎与芯片大小一致．在所有表面安装技术中，倒装芯片可以达到最小、最薄的封装。例如图1所示的目前的倒装封装示意图。具集成电路100的有源面上设置多个焊接凸块600，该焊接凸块电连接到集电路100内的金属层，并且通过该焊接凸块600将集成电路100内的电路与外部电路电连接。根据不同的功能，该焊料土块600建立的电连接可以是各种类型的，例如地线或信号线等。然而，随着集成度的增加，焊接凸块的密度变得越来越大，凸块之间的间距越来越小，造成了失效率约来约高。为了解决上述问题，其中一个途径是将凸块做的更小，然而这又不利于力学特性，因为过小的凸块??构会在热按压的过程中由于应力的作用而失效。 最近出现了如图2所示的具有台阶的凸块结构，该焊接凸块具有较大直径的601部分和较小直径的602部分，这种结构在一定程度上缓解了上述问题。然而，这种凸块结构不利于制造，其置备工艺比较复杂，成本高。 参考附图8，图8是本文最终的完成状态，附图标记100代表的是集成电路，该集成电路100具有半导体材料本体，在半导体本体内形成有半导体器件和金属线路层。该集成电路100可以是CPU、ROM等。在该集成电路100的有源面上具有保护介质层，该保护介质层可以具有阻焊等功能。并且多个金属焊垫200从保护介质层中露出，该金属焊垫200连接到集成电路内的金属电路。在该金属焊垫200从保护介质层露出的表面上形成凸块下金属层300，该凸块下金属层300的上表面与保护介质层的上表面共面。凸块下金属层300可以是单层或是多层的结构，其作用是形成稳定的凸块于金属焊垫200的连接 。焊接凸块400形成于凸块下金属层300。该焊接凸块400位是具有台阶的结构，包括了两个部分，下部分401和上部分402，下部分401的外径大于上部分402的外径。并且下部分401和上部分402均具有弧面，即上部分401和下部分402的侧面为弧面。上部分402比下部分401较为纤细，纤细的意思是上部分402的曲率半径小于下部分401的曲率半径。值得注意的是，图3位纵切面图，根据具体的要求，即凸块400的下部分401和上部分401在基板100的上表面上的投影是圆形或矩形的。凸块400可以是具有中心对称的形状，弧面在全部的侧面上形成；但该凸块400的下部分401和上部分402也可以是左右对称的，弧面只存在相对的两个侧面上（如图3显示的那样）。实际过程中，上部分402和下部分401并不存在一个材料上的交接面，即上部分402和下部分401事实上在材料构成上是一个整体。 以下将详细描述制备本文的凸块结构的方法。 参考图3-4，集成电路100，有源面上形成有保护介质层，保护介质层具有露出金属焊垫200一部分的开口，在从保护介质层开口中露出的金属焊垫200的表面上沉积凸块下金属层300，该凸块下金属层300可以是多层结构也可以是单层结构，需要注意的是，进行表面平坦化工艺使得凸块下金属层300的上表面与集成电路100的保护介质层的上表面在同一个平面上。如此做的目的是为了方便在其后形成牺牲层。 参考图5，在至少一部分凸块下金属层300的表面上形成金属凸块4000，该金属凸块4000可以是圆柱体，也可以是长方体，其形状可以根据具体的封装设计而定。 参考图6，围绕金属凸块4000在保护介质层和凸块下金属层300上分别形成第一牺牲层501