第十一章 原子发射光谱法(Atomic Emission Spectrometry,简称AES)资料.pptVIP

第十一章 俄歇电子能谱;俄歇电子能谱;AES的特点;AES原理;俄歇跃迁所产生的俄歇电子可以用它跃迁过程中涉及的三个原子轨道能级的符号来标记； 如图1和2所示的俄歇跃迁所产生的俄歇电子可被标记为WXY跃迁。 其中激发空穴所在的轨道能级标记在首位，中间为填充电子的轨道能级，最后是激发俄歇电子的轨道能级。;俄歇电子能谱仪;俄歇电子能谱仪;AES原理;AES原理;AES原理;AES原理;AES原理;俄歇电子能谱的主要应用;俄歇电子能谱图的应用;（1）俄歇电子能谱的定性分析 为了提高高能端俄歇峰的信号强度，可以通过提高激发源电子能量的方法来获得。 在进行定性分析时，通常采取俄歇谱的微分谱的负峰能量作为俄歇动能，进行元素的定性标定。 在分析俄歇电子能谱图时，有时还必须考虑样品的荷电位移问题。一般来说，金属和半导体样品几乎不会荷电，因此不用校准。但对于绝缘体薄膜样品，有时必须进行校准，通常以C KLL峰的俄歇动能为278.0 eV作为基准。在离子溅射的样品中，也可以用Ar KLL峰的俄歇动能214.0 eV来校准。 在判断元素是否存在时，应用其所有的次强峰进行佐证，否则应考虑是否为其他元素的干扰峰。 ;;俄歇电子能谱的定量分析方法很多，主要包括纯元素标样法，相对灵敏度因子法以及相近成分的多元素标样法。 最常用和实用的方法是相对灵敏度因子法。该方法的定量计算可以用下式进行: 式中 ci - 第i种元素的摩尔分数浓度； Ii - 第i种元素的AES信号强度； Si - 第i种元素的相对灵敏度因子；;在定量分析中必须注意的是AES给出的相对含量也与谱仪的状况有关，因为不仅各元素的灵敏度因子是不同的，AES谱仪对不同能量的俄歇电子的传输效率也是不同的，并会随谱仪污染程度而改变。当谱仪的分析器受到严重污染时， 低能端俄歇峰的强度可以大幅度下降。 AES仅提供表面1～3 nm厚的表面层信息。 样品表面的C, O污染以及吸附物的存在也会严重影响其定量分析的结果。 还必须注意的是，由于俄歇能谱的各元素的灵敏度因子与一次电子束的激发能量有关，因此，俄歇电子能谱的激发源的能量也会影响定量结果。 ;俄??电子能谱图的应用;俄歇电子能谱图的应用;;相邻原子的电负性差对俄歇化学位移的影响。 ;由这些结果可见, Si LVV的俄歇化学位移比Si KLL的要大。这清楚地表明价轨道比内层轨道对化学环境更为敏感，不论是Si3N4还是SiO2,其中在SiO2和Si3N4中, Si都是以正四价存在, 但Si3N4的Si-N键的电负性差为-1.2，俄歇化学位移为-8.7 eV。 而在SiO2中, Si-O键的电负性差为-1.7, 俄歇化学位移则为-16.3 eV。通过计算可知SiO2中Si的有效电荷为+2.06 e, 而Si3N4中Si的有效电荷为+1.21 e。 根据电荷势模型, 化合物中元素的电负性差越大，元素的有效电荷越大, 其俄歇化学位移也越大。即对于同一化合价的元素, 随着相邻元素电负性差的增加, 俄歇化学位移的数值也增加, 电负性正负的方向决定了俄歇化学位移的方向。 以上的实验结果表明，对于这类化合物电荷势模型可以合理地解释化学价态和元素电负性差对俄歇化学位移的影响。;图13是几种氧化物的O KLL俄歇谱, 从图上可见，O KLL俄歇电子能量与氧化物的组成有很大关系。 SiO2的O KLL俄歇动能为502.1 eV, 而TiO2的则为508.4 eV，其数值与PbO2的O KLL俄歇动能相近(508.6 eV)。 ;虽然在这些氧化物中氧都是以负二价离子O-2存在, 相应的电负性差也相近, 氧元素上的有效电荷也比较接近,但俄歇电子能量却相差甚远。 这种现象用电荷势模型就难以解释,这时必须用弛豫能的影响才能给予满意的解释。这时原子外弛豫能(离子有效半径)将起主要作用。;;俄歇电子能谱提供的信息;俄歇电子能谱的重要性;AES：局限性;AES：习题