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大工14秋《模拟电子线路》在线作业1 包括本科在内的各校各科复习资料，可以联系屏幕右上的“文档贡献者” 试卷总分：100 测试时间： 判断题 单选题 二 、判断题（共 10 道试题，共 50 分。） 1. 二极管是非线性器件。 A.对 B.错 满分：5 分 2. 当环境温度升高时，二极管的正向电压将降低。 A.对 B.错 满分：5 分 3. 共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。 A.对 B.错 满分：5 分 4. 温度升高，晶体管输出特性曲线上移。 A.对 B.错 满分：5 分 5. 阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。 A.对 B.错 满分：5 分 6. PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。 A.对 B.错 满分：5 分 7. 二极管加正向电压截止，加反向电压导通。 A.对 B.错 满分：5 分 8. 直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。 A.对 B.错 满分：5 分 9. 对于电压放大器来说，输出电阻越小，电路的带负载能力越强。 A.对 B.错 满分：5 分 10. 温度升高，晶体管输入特性曲线右移。 A.对 B.错 满分：5 分 一 、单选题（共 10 道试题，共 50 分。） 1. 测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V，则该管()。 A. 处于饱和状态 B. 处于放大状态 C. 处于截止状态 D. 已损坏 满分：5 分 2. 晶体管能够放大的外部条件是()。 A. 发射结正偏，集电结反偏 B. 发射结正偏，集电结正偏 C. 发射结反偏，集电结正偏 D. 发射结反偏，集电结反偏 满分：5 分 3. 关于BJT的结构特点说法错误的是()。 A. 基区很薄且掺杂浓度很低 B. 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 C. 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 D. 集电区面积大于发射区面积 满分：5 分 4. 当温度升高时，三极管的电流放大系数β将()。 A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 不确定 满分：5 分 5. BJT处于截止状态的条件是()。 A. 发射结正偏，集电结反偏 B. 发射结正偏，集电结正偏 C. 发射结反偏，集电结正偏 D. 发射结反偏，集电结反偏 满分：5 分 6. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是()放大电路。 A. 共射极 B. 共集电极 C. 共基极 D. 不确定 满分：5 分 7. 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V，则6V所对应的电极为()。 A. 发射极 B. 集电极 C. 基极 D. 无法确定 满分：5 分 8. 在共射、共集和共基三种组态中，只具有电压放大作用的组态是()。 A. 共射组态 B. 共集组态 C. 共基组态 D. 无法确定 满分：5 分 9. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 满分：5 分 10. 在掺杂半导体中，少子的浓度受()的影响很大。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 满分：5 分 大工14秋《模拟电子线路》在线作业2 试卷总分：100 测试时间： 判断题 单选题 二 、判断题（共 10 道试题，共 50 分。） 1. 与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。 A.对 B.错 满分：5 分 2. 场效应管是一种电流控制器件。 A.对 B.错 满分：5 分 3. 克服交越失真的方法是采用乙类互补对称电路。 A.对 B.错 满分：5 分 4. 差分式放大电路对共模信号具有很???的抑制能力。 A.对 B.错 满分：5 分 5. 集成电路运算放大器是具有高增益的直接耦合多级放大电路。 A.对 B.错 满分：5 分 6. 甲类放大电路的效率最高可以达到78.5%。 A.对 B.错 满分：5 分 7. 典型的差分放大电路是利用电路的对称性和发射极公共电阻的负反馈作用来克服温漂。 A.对 B.错 满分：5 分 8. 电流源电路的特点是端口电流恒定，交流等效电阻大，直流等效电阻大。