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第六章 半导体;6.1 半导体的特性和类型;6.1.1 半导体的一般特性;小知识 温差电效应;６.1.2 半导体的类型;Si;;（２）Ｐ型半导体（空穴型半导体）：
４价Si(Ge)中掺３价的B(Al)等杂质;导带;６.１.３深能级杂质和Ⅲ－Ⅴ族化合物中的杂质;6.2 平衡载流子浓度;1. 载流子浓度的计算;导带中电子的浓度;价带中空穴的浓度;2.几个重要结论;（2）本征半导体的费米能级在禁带中央附近;（3）N型半导体费米能级接近于导带底，
p型半导体费米能级接近于价带顶;6.3 非平衡载流子浓度;电子系统与空穴系统不再有统一的费米能;;非平衡载流子的扩散长度;;2.扩散流密度;§6.4 PN 结 ;1. 平衡PN结特性 ;N区和P区的费密能级不相等，在PN结处产生电荷的积累
—— 稳定后形成一定的电势差;PN结势垒作用 ;—— 抵消原来P区和N区电子费密能级的差别;扩散和漂移形成平衡电荷分布，满足玻耳兹曼统计规律;???得PN结的接触电势差为;2. PN结的电流-电压特性 ;a. 电注入公式;边界处非平衡载流子浓度;边界处非平衡载流子浓度;同理，注入到P区的电子电流密度;结果讨论;3. PN结的反向抽取 ;P区边界电子的浓度;一般情况下;—— P区和N区少数载流子的产生率;反向饱和电流 —— 扩散长度一层内，总的少数载流子产生
率乘以电子电量q
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