光电技术教学 第8 固体成象器件.pptVIP

§ 8.3 其它固态成像器件 一、体内沟道电荷耦合器件 二、自扫描光电二极管阵列（SSPA） 一、体内沟道电荷耦合器件 输入二极管 +20V SiO2 n-Si p-Si n+ n+ 输入二极管 +20V 图8.3.1、BCCD的结构示意图 利用耗尽层工作，信息电荷为多子 SCCD和BCCD的比较 1、SCCD比BCCD的信号处理能力大； 2、BCCD有较大边缘电场和较高载流子迁移率，渡越时间缩短，工作频率上限提高； 3、BCCD转移效率高； 4、对于二相BCCD，厚栅是存储栅，薄栅是转移栅，而SCCD厚栅是转移栅，薄栅是存储栅； 5、SCCD是信号电荷时少子，而BCCD的信号电荷是多子。 自扫描光电二极管阵列（SSPA） 以光电二极管代替CID中的MOS电容结构光敏元，构成自扫描光电二极管阵列（SSPA） K（闭合） D Cd RL Vc 工作过程 1、准备：首先闭合K，光电二极管充电，达到稳定后，由于光电流、暗电流都很小，可认为负载上压降几乎为零，Vc全部降落在p-n结上，结电容Cd上的电荷 2、曝光：打开开关K，光电流和暗电流的存在使光电二极管放电，设打开时间为Ts，结电容Cd上释放的电荷 此时Cd上的电荷 Cd上的压降 K（断开） D Cd RL Vc 3、再充电： 闭合K，结电容充电，达到平衡后，电压升至Vc，因此充电期间Cd上电压有一上升过程，直到达