第四章 微纳制造工艺_2半导体材料与制备幻灯片.pptVIP

第四章 微纳制造工艺——半导体材料与制备;1 结合键 原子间的结合力称为结合键，它主要表现为原子间吸引力与排斥力的合力结果。根据不同的原子结合结合方式，结合键可分为以下几类：;1：离子键 大多数盐类、碱类和金属氧化物主要以离子键的方式结合。离子键键合的基本特点是以离子而不是以原子为结合单元。 一般离子晶体中正负离子静电引力较强，结合牢固。因此。其熔点和硬度均较高。另外，在离子晶体中很难产生自由运动的电子，因此，它们都是良好的电绝缘体。但当处在高温熔融状态时，正负离子在外电场作用下可以自由运动，即呈现离子导电性 ;2： 共价键 共价键的实质就是两个或多个电负性相差不大的原子间通过共用电子对而形成的化学键。共价键键合的基本特点是核外电子云达到最大的重叠，形成“共用电子对”，有确定的方位，且配位数较小。 ?共价键的结合极为牢固，故共价晶体具有结构稳定、熔点高、质硬脆等特点。共价形成的材料一般是绝缘体，其导电性能差。 ;3：金属键 金属中的自由电子和金属正离子相互作用所构成键合称为金属键。金属键的基本特点是电子的共有化。既无饱和性又无方向性，因而每个原子有可能同更多的原子相结合，并趋于形成低能量的密堆结构。当金属受力变形而改变原子之间的相互位置时，不至于使金属键破坏，这就使金属具有良好延展性，并且，由于自由电子的存在，金属一般都具有良好的导电和导热性能。 ;4：范德华键 ?? 属物理键，系一种次价键，没有方向性和饱和性。比化学键的键能少1～2个数量级。主要由静电力、诱导力和色散力组成。 5：氢键 它是由氢原子同时与两个电负性很大而原子半径较小的原子（Ｏ，Ｆ，Ｎ等）相结合而产生的具有比一般次价键大的键力，具有饱和性和方向性。氢键在高分子材料中特别重要。 ;与四种键型相联系的物理性质和结构性质;结合键类型;? 锗（Ge）： 1947 -1958 ，但耐高温和抗辐射性能较差。 ? 硅（Si）： 1962 - ? 砷化镓（GaAs）： 1970 - ? 宽带材料： ZnSe(1990),SiC(1992),GaN(1994),ZnO(1996) ? 高分子材料？稀土材料？ 无定形材料？ ;根据各自所具有的原子有序的大小，可分为三类： ? 单晶： 几乎所有的原子都占据着安排良好的规则的位置，即晶格位置；——有源器件的衬底 ? 非晶： 如SiO2, 原子不具有长程有序，其中的化学键，键长和方向在一定的范围内变化； ? 多晶： 是彼此间随机取向的小单晶的聚集体，在工艺过程中，小单晶的晶胞大小和取向会时常发生变化，有时在电路工作期间也发生变化。;单晶;半导体 —;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：; * 元素半导体 *　化合物半导体：　IV-IV, III-V, II-VI;3. 晶体和晶格;;基矢;3D 基矢;简立方结构;Hexagonal Close Packed;Face Centred Cubic;Face Centred Cubic 2;Body Centred Cubic;;金刚石晶格;Vector Notation;密勒指数;;晶体平面;;;;;周期表;Crystal Lattices;硅的晶体结构;晶体缺陷;点缺陷(0-dimensional);Grain Boundaries, Microstructure Macrostructure: planar defects (2-dimensional);位错: 线缺陷(1-dimensional); 4. 本征半导体和掺杂半导体;硅(锗)的原子结构;本征激发：;两种载流子;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。;在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。;N型半导体;在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受