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第三章 集成电路制造工艺;集成电路制造工艺分类;§1-1 双极型集成电路工艺 (典型的PN结隔离工艺) (P1~5); 思考题;1.1.1 工艺流程(三极管和一个电阻） ;P-Sub;1.1.1 工艺流程（续2）;1.1.1 工艺流程（续3）;1.1.1 工艺流程（续4）;1.1.1 工艺流程（续5）;1.1.1 工艺流程（续6）;1.1.2 光刻掩膜版汇总;1.1.3 外延层电极的引出;1.1.4 埋层的作用;1.1.5 隔离的实现;1.1.6 其它双极型集成电路工艺简介;1.1.7 习题;§1.2 MOS集成电路工艺（N阱硅栅CMOS工艺） (P9~11) 参考P阱硅栅CMOS工艺; 思考题;1.2.1 主要工艺流程 1.衬底准备;P-Sub;1.2.1 主要工艺流程 3. N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面;P-Sub;P-Sub;P-Sub;1.2.1 主要工艺流程 7. P+ active注入（Pplus）（ 硅栅自对准）;1.2.1 主要工艺流程 8. N+ active注入（Nplus —Pplus反版） （ 硅栅自对准）;1.2.1 主要工艺流程 9. 淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流;1.2.1 主要工艺流程 10. 蒸镀金属1，反刻金属1（metal1);1.2.1 主要工艺流程 11. 绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via);1.2.1 主要工艺流程 12. 蒸镀金属2，反刻金属2（metal2);1.2.1 主要工艺流程 13. 钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad);1.2.2 光刻掩膜版简图汇总;1.2.3 局部氧化的作用;1.2.4 硅栅自对准的作用;1.2.5 MOS管衬底电极的引出;1.2.6 其它MOS工艺简介;1.2.7 习题;§1.3 BI CMOS工艺简介;1.3.1以CMOS工艺为基础的BI-MOS工艺;1.3.2以双极型工艺为基础的BI-MOS工艺;第一章 集成电路制造工艺;集成电路制造工艺分类;§1-1 双极型集成电路工艺 (典型的PN结隔离工艺) (P1~5); 思考题;1.1.1 工艺流程;P-Sub;1.1.1 工艺流程（续2）;1.1.1 工艺流程（续3）;1.1.1 工艺流程（续4）;1.1.1 工艺流程（续5）;1.1.1 工艺流程（续6）;1.1.2 光刻掩膜版汇总;1.1.3 外延层电极的引出;1.1.4 埋层的作用;1.1.5 隔离的实现;1.1.6 其它双极型集成电路工艺简介;1.1.7 习题;§1.2 MOS集成电路工艺（N阱硅栅CMOS工艺） (P9~11) 参考P阱硅栅CMOS工艺; 思考题;1.2.1 主要工艺流程 1.衬底准备;P-Sub;1.2.1 主要工艺流程 3. N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面;P-Sub;P-Sub;P-Sub;1.2.1 主要工艺流程 7. P+ active注入（Pplus）（ 硅栅自对准）;1.2.1 主要工艺流程 8. N+ active注入（Nplus —Pplus反版） （ 硅栅自对准）;1.2.1 主要工艺流程 9. 淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流;1.2.1 主要工艺流程 10. 蒸镀金属1，反刻金属1（metal1);1.2.1 主要工艺流程 11. 绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via);1.2.1 主要工艺流程 12. 蒸镀金属2，反刻金属2（metal2);1.2.1 主要工艺流程 13. 钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad);1.2.2 光刻掩膜版简图汇总;1.2.3 局部氧化的作用;1.2.4 硅栅自对准的作用;1.2.5 MOS管衬底电极的引出;1.2.6 其它MOS工艺简介;1.2.7 习题;§1.3 BI CMOS工艺简介;1.3.1以CMOS工艺为基础的BI-MOS工艺;1.3.2以双极型工艺为基础的BI-MOS工艺
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