第4章常用半导体器件汇编.pptVIP

第4章 常用半导体器件;;4.1 半导体基础知识;4.1.2 杂质半导体 掺入杂质的半导体称为杂质半导体。 1．N型半导体 杂质：5价元素磷（P）。 载流子：多子是自由电子；少子是空穴。 杂质离子：带正电。 简化画法：只画出正离子和等量的自由电子来表示N型半导体。如上图（a）所示： 2．P型半导体 杂质：三价元素硼（B）。 载流子：多子是空穴；少子是自由电子。 杂质离子：带负电。 简化画法：只画出负离子和等量的空穴来表示P型半导体。如上图（b）所示：;4.1.3 PN结 将一块半导体的一侧掺杂成为P型半导体，而另一侧掺杂成为N型半导体，则在二者的交界处将形成一个PN结。 1．PN结的形成 在PN结的形成过程中存在两种运动：由于载流子浓度差引起的扩散运动和在内电场作用下产生的漂移运动。当这两种运动达到动态平衡后，即形成PN结。如图4-2所示。;2. PN结的单向导电性 PN结的正偏：在PN结上加以正向电压，即P区接电源正极，N区接电源负极，称PN结处于正向偏置状态，简称正偏，如图4-3（a）所示。 PN结的反偏：在PN结上加以反向电压，即P区接电源负极，N区接电源正极，称PN结处于反向偏置状态，简称反偏，如图4-3（b）所示。 PN结的单向导电性：PN结正偏时导通，表现出的正向电阻很小，正向电流I较大；反偏时截止，表现出的反向电阻很大，正向电流几乎为零，只有很小的反向饱和电流IS。这就是PN结最重要的特性——单向导电性。 ;4.2 半导体二极管; 分类：二极管的种类很多，分类方法也不同。按制造所用材料分类，主要有硅二极管和锗二极管；按用途分类，主要有普通二极管、整流二极管、开关二极管和稳压二极管；按其结构分类，有点接触型和面接触型二极管。 图4-5所示为几种常见二极管的实物外形图。;4.2.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性是指二极管两端电压u和流过二极管的电流i之间的关系。 将u和i的关系画成的曲线，叫做二极管的伏安特性曲线。 以硅管为例，其伏安特性如图4-6所示。;1. 正向特性 当外加正向电压时，若正向电压小于???区的开启电压Uon，此时，外电场不足以克服内电场，多数载流子的扩散运动仍受较大阻碍，二极管的正向电流很小。硅管的Uon约为0.5 V，锗管约为0.2 V。 当正向电压超过Uon后，内电场被大大削弱，电流将随正向电压的增大按指数规律增大，二极管呈现出很小的电阻。硅管的正向导通电压为0.6～0.8V（常取0.7V），锗管为0.1～0.3V。 2. 反向特性 反向电压增大时，反向电流随着稍有增加，当反向电压大到一定程度时，反向电流将基本不变，即达到饱和，因而称该反向电流为反向饱和电流，用IS表示。通常硅管的IS可达10-9A数量级，锗管为10-6A数量级。反向饱和电流越小，管子的单向导电性越好。 当反向电压增大到图中的UBR时，在外部强电场作用下，少子的数目会急剧增加，因而使得反向电流急剧增大。这种现象称为反向击穿，电压UBR称为反向击穿电压。各类二极管的反向击穿电压大小不同，通常为几十到几百伏，最高可达300伏以上。PN结被击穿后，常因温度过高、功耗过大而造成永久性的损坏。;说明： （1）半导体中少子的浓度受温度影响，因而二极管的伏安特性对温度很敏感。当温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。如图4-6（b）所示。 （2）有时为了分析方便，将二极管理想化，忽略其正向导通电压和反向饱和电流，于是得到图4-7所示理想二极管的伏安特性。对于理想二极管，认为正偏导通时相当于开关闭合，反偏截止时相当于开关断开。 ;4.2.3 二极管的主要参数 （1）最大整流电流IF 指二极管长期运行时，允许通过管子的最大正向平均电流。使用时，管子的平均电流不得超过此值，否则可能使二极管过热而损坏。 （2）最高反向工作电压UR 工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值，否则二极管可能被击穿。为了留有余地，通常将击穿电压UBR的一半定为UR。 （3）反向电流IR IR是指在室温条件下，在二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流。通常希望IR值愈小愈好。反向电流愈小，说明二极管的单向导电性愈好。此时，由于反向电流是由少数载流子形成，所以IR受温度的影响很大。 （4）最高工作频率fM 由于PN结存在结电容，它的存在限制了二极管的工作频率，