10项目七半导体器件解答.ppt

;;学习目的与要求;半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。常用的半导体有硅、锗等。;半导体基础知识;;;;(2)杂质半导体;; ＰＮ结是采用特定的制造工艺，使一块半导体的两边分别形成Ｐ型半导体和Ｎ型半导体，它们的交界面就形成ＰＮ结。;ＰＮ结具有单向导电性;二、二极管的结构和符号; 把PN结用管壳封装，然后在P区和N区分别向外引出一个电极，即可构成一个二极管。二极管是电子技术中最基本的半导体器件之一。根据其用途分有检波管、开关管、稳压管和整流管等。;;当二极管承受反向电压时，其反向电阻很大，此时仅有非常小的反向电流（称为反向饱和电流或反向漏电流）。进入反向截止区。实际应用中二极管的反向饱和电流值越小越好，可近似视为零值。; （1）最大整流电流IDM：指二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。其大小???PN结的结面积和外界散热条件决定。;二极管的应用举例;(2)二极管的限幅作用;半导体二极管工作在击穿区，是否一定被损坏？为什么？ ;I(mA);+;思索与回顾; 发光二极管是一种能把电能直接转换成光能的固体发光元件。一般使用砷化镓、磷化镓等材料制成。; 光敏二极管也称光电二极管，是将光信号变成电信号的半 导体器件。;4．变容二极管;1.利用稳压管或普通二极管的正向压降，是否也可以稳压？; 半导体三极管又称晶体三极管或双极型晶体管，简称晶体管。;注意：图中箭头方向为发射结正向偏置时电流的方向。;;1．晶体管的工作电压;结论;2 ．晶体管各个电极的电流分配;; 把晶体管的C、E 极之间短路并给发射结加上正向电压时，发射结和集电结正向并联，均处于导通状态，因此，晶体管的输入特性曲线与二极管正向伏安特性十分相似。;UCE =0.5V;(2) 输出特性曲线;; IB一定时，当UCE超过1V以后，即使UCE继续增大，集电极电流IC也不会再有明显的增加，具有恒流特性。;UCE / V;（4）击穿区 当UCE大于某一值后，IC开始剧 增，这个现象称为一次击穿。一次击穿过程是可逆的。;四、晶体管的主要参数;;（2）穿透电流 为基极开路时，由集电区穿过基区流入发射区的穿透电流，它是 的（1+ ）倍，即;①集电极最大允许电流ICM; 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，UCEUBE，集电结也处于正偏，这时内电场被大大削弱，因此极不利于集电区收集从发射区到达基区的电子，这种情况下，集电极电流IC与基极电流IB不再是β倍的关系。此时晶体管的电流放大能力大大下降。; 晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的。因为发射区的掺杂质浓度很高，集电区的掺杂质浓度较低，这样才使得发射极电流等于基极电流和集电极电流之和，如果互换显然不行。; 为了发射区扩散电子的绝大多数不能在基区和空穴复合，只有极小一部分与基区空穴复合形成基极电流，其余电子被集电极收集后形成集电极电流。;Thank You !