光电子技术复习讲解.ppt

考试时间：十四周星期五（12月9日）下午3:00-5:00 考试地点：N-228;1. 一个激光器应该包含 、 和 三部分。;4.半导体激光器泵浦可采用　　　 和 　　　　　　两种方式。 ;5.按工作物质来分，He-Ne激光器属于 ，其中激光跃迁发生在　　　　原子的能级间，　　　　作为辅助气体来提高泵浦效率。;.激光的稳定性条件: ;1.气溶胶对光波的衰减包括气溶胶 和 。光的散射定理指出，当光波长远大于散射粒子尺寸时，产生 散射。当光的波长相当于或小于散射粒子尺寸时，产生 散射。 ;模色散,材料色散,波导色散，模色散 ;6.说明光纤波导的弱导条件及其基本含义。 ;纵向电光效应，横向电光效应 ;4.声光调制器是由　　　　 、　　 　　、 　　 　 及　　　　　　等组成。;横向效应运用时，半波电压与晶体的长宽比(L/d)有关。增大L 或减小d 就可大大降低半波电压，但存在自然双折射产生的固有相位延迟，对环境温度敏感。由于需要补偿，光调制器结构复杂，尺寸加工要求高， ;实现激光光束调制的方法根据调制器与激光器的关系，可以分为内调 制和外调制两种。内调制是指加载信号在激光振荡过程中进行的，以调制信号改变激光器的振荡参数，从而改变激光输出特性实现调制。(2分)外调制是在激光形成之后，在激光器的光路上放置调制器，用调制信号改变调制器的物理性质，当激光光束通过调制器时，使光波的某个参量受到调制。 ;第四章;3.说明PIN硅光二极管中本征层（I层）的作用。 ;光电探测器的主要性能参数包括（1）积分灵敏度R，（2）光谱灵敏度Rλ,（3）频率灵敏度Rf, (4)量子效率η，(5）能量阈Pth和噪声等效功率NEP,（6）归一化探测度D* 探测器测光的光源光谱特性必须与光电探测器的光谱响应特性匹配；考虑时间响应特性；考虑光电探测器的线性特性等。;第五章;4.一目标经红外成像系统成像后供人眼观察，在某一特征频率时，目标对比度为0.5,大气的MTF为0.9，探测器的MTF为0.5，电路的MTF为0.95，CRT的MTF为0.5，则在这一特征频率下，光学系统的MTF至少要多大？ ;构成CCD的基本单元是MOS(金属-氧化物-半导体)电容器。正如其它电容器一样，MOS电容器能够存储电荷。如果MOS结构中的半导体是P型硅，当在金属电极（称为栅）上加一个正的阶梯电压时（衬底接地），Si-SiO2界面处的电势（称为表面势或界面势）发生相应变化，附近的P型硅中多数载流子——空穴被排斥，形成所谓耗尽层。如果栅电压VG超过MOS晶体管的开启电压，则在Si-SiO2界面处形成深度耗尽状态，由于电子在那里的势能较低，我们可以形象化地说：半导体表面形成了电子的势阱，可以用来存储电子。 ;当表面存在势阱时，如果有信号电子（电荷）来到势阱及其邻近，它们便可以聚集在表面。随着电子来到势阱中，表面势将降低，耗尽层将减薄，我们把这个过程描述为电子逐渐填充势阱。势阱中能够容纳多少个电子，取决于势阱的“深浅”，即表面势的大小，而表面势又随栅电压变化，栅电压越大，势阱越深。如果没有外来的信号电荷。耗尽层及其邻近区域在一定温度下产生的电子将逐渐填满势阱，这种热产生的少数载流子电流叫作暗电流，以有别于光照下产生的载流子。因此，电荷耦合器件必须工作在瞬态和深度耗尽状态，才能存储电荷。 ;第六章; 注入电致发光是在半导体PN结加正偏压时产生少数载流子注入，与多数载流子复合发光。高场电致发光是将发光材料粉末与介质的混合体或单晶薄膜夹持于透明电极板之间，外施电压，由电场直接激励电子与空穴复合而发光。 ;第七章;1.容许频带很宽，传输容量很大 2.损耗很小， 中继距离很长且误码率很小 3.重量轻、 体积小 4.抗电磁干扰性能好 5.泄漏小， 保密性能好 6.节约金属材料， 有利于资源合理使用;按照光纤在传感器中所起的作用，光纤传感器一般可分为两大类： （1）传感型光纤传感器---利用光纤本身的特征把光纤直接作为敏感元件，既感知信息又传输信息（也称为功能型或全光纤传感器）。 （2）传光型光纤传感器---利用其他敏感元件感知待测量的变化，光纤仅作为光的传输介质，传输来自远处或难以接近场所的光信号（非功能型或混合型）。