LTE功率控制和射频测试规范.pdfVIP

LTE上行行功率控制功率控制 通过本节的学习通过本节的学习，，我们将了解到我们将了解到 LTE上行功控方法与WCMDA相比有什么区别 各种上行物理信道的功控算法 LTELTE与与WCDMAWCDMA上行功控对比上行功控对比 WCDMA上行干扰主要来自于小区内不同UE之间的干扰 LTE的上行功控管理的要求与WCDMA有很大的不同，LTE小区内每个UE分配 的时频资源的时频资源是不一样的样的，因此小此小区内内干扰的管扰的管理不像像WCDMA那样关键样关键 WCDMA以一个slot(0.67ms)为环延时，LTE是以5个TTI(5ms)为环延时 WCDMA是以±1 db为步进，0.67ms为周期的调整，LTE可以以更大的步进， 而且是非固定周期的调整，LTE的功控频率一般不会超过几百赫兹 功控分类功控分类 开环功控 闭环功控 对于LTE来说，采用的是一种基本开环工作点+动态偏移的方式 PUCCHPUCCH功率控制功率控制 PUCCH译码的性能并非由信号强度，而是由信干噪比决定（SNIR） 由于PUCCH传递的控制信息不同，有不同的误码率要求，所以功控要求对于 不同的控制信息也的控制信息也是不同的的 对PUCCH的功控，是放在DL Grant的PDCCH中 PP miin{{PP ,PP =++PLPL +Δ+Δ ++δδ}} T max 0 DL format 校正因子 发送功率发送功率 不同的PUCCH格式 下行pathloss，dB，通过cell-specific RS估计 系统指定功率，由SI广播 UE的最大发射功率，dbm PUCCHPUCCH功控校正因子如何增减功控校正因子如何增减 引入校正因子的一个原因是补偿多径衰落（路损不包含多径衰落） 另一个作用是在P0没有及时更新（收不到SI update）的情况下可以做适当 的补偿的补偿 对于PUCCH中的HARQ ACK/NACK，使用PDCCH DL grant中的TPC域 对于周期性的PUCCH报告，使用DCI format 3//3A调整 DCI format 3A功率控制，调制步进-1db，0db，+1db，+3db DCI format 3功率控制，调制步进-1db，+1db PUSCHPUSCH功率控制功率控制 P min{P , P +αPL +10 ⋅log (M ) +Δ +δ} T max 0 DL 10 MCS 校正因子 发送功率 不同的MCS对应不同的SINR要求， 低阶的低阶的MCSMCS可使用较低的功率可使用较低的功率 RB数目，这个因子的意思是P per RB值， 发送功率要算全频带的 下行pathloss，dB，通过cell-specific RS估计，由alpha控制 系统指定的每个RB的功率，由SI广播，范围在(-126- +23dbm) UE的最大发射功率，dbm PUSCUSC