11-淀积分析报告.pptVIP

半导体制造技术;本章概要;11.1 概述;11.1 概述;11.1 概述;11.1 概述;11.1 概述;11.1 概述;11.1 概述;11.1 概述;11.1 概述;11.1 概述;11.1 概述;11.1 概述;11.1 概述;11.2 化学汽相淀积;CVD设备;CVD技术特点：;CVD化学过程;CVD化学过程;CVD反应步骤;CVD传输和反应步骤图;硅气相外延实例;速度限制阶段; 在更低的反应温度和压力下，由于只有更少的能量来驱动表面反应，表面反应速度会降低。最终反应物达到硅片表面的速度将超过表面化学反应的速度。在这种情况下。淀积速度是受化学反应速度限制的，此时淀积受表面反应速度限制。;CVD气流动力学;硅片表面的气流;CVD反应中的压力;CVD过程中的掺杂;CVD过程中的掺杂;CVD淀积系统;CVD淀积系统;CVD反应器类型;各种反应器类型及特点;连续加工的APCVD反应炉;APCVD TEOS-O3改善后的台阶覆盖;用TEOS-O3淀积SiO2;PSG回流后平坦化的表面;LPCVD;硅片表面的边界层;LPCVD反应室;用TEOS LPCVD淀积氧化硅;氮化硅淀积;氮化硅淀积;多晶硅的性质;多晶硅的制备;等离子体辅助CVD;等离子体辅助CVD 中膜的形成;PECVD的一般流程;不同CVD形成氮化硅的性质;高密度等离子体淀积腔;淀积-刻蚀-淀积工艺;HDPCVD工艺的步骤;在涡轮泵出口放置硅片的 HDPCVD;介质间隙填充过程;CVD质量测量;介质参数和作用;ULSI 互连中可能的低K值ILD材料;芯片性能;互连延迟与特征尺寸的关系;总互连线电容;低K值绝缘介质要求;DRAM叠层电容示意图谈;11.3 介质及其性能;器件隔离;局部氧化（LOCOS）;浅槽隔离（STI）;11.3 介质及其性能;浅槽隔离（STI）;旋涂绝缘介质;用 Spin-On-Glass 填充间隙;HSQ 低k值绝缘介质工艺参数;外延生长定义;外延生长方法;硅片上外延生长硅;外延生长优点;外延生长反应;外延生长反应;外延掺杂种类;人为掺杂;人为掺杂;自掺杂;扩散效应;扩散效应;蒸发效应;腐蚀效应;气相外延示意图;硅气相外延炉;THE END