MEM制造技术—赖刘生探究.pptx

MEMS的制造技术 1、体微加工 2、硅体刻蚀自停止技术 腐蚀工艺简介 腐蚀：一种材料在它所处的环境由于另一种材料的作用而造成缓慢损害的现象。 基本思想：通过去掉多余材料的方法，实现结构加工。 硅腐蚀方法：湿法和干法。 1 体微加工 1.1 硅刻蚀的湿法技术 基本原理：硅表面上的点作为随机分布的局部区域的阳极和阴极。由于这些局部区域化电解电池的作用，硅表面发生了 氧化反应并引起相当大的腐蚀电流，一般超过100A/cm2。 如果起阴极作用和阳极作用时间大致相等，就会形长均匀 腐蚀。反之，若两者时间相差很大，则会出现选择性的腐蚀。 腐蚀机理 : Si+2h+ Si2+ H2O (OH)- + H+ Si2++2(OH)- Si(OH)2 Si(OH)2 SiO2 + H2 SiO2+6HF H2SiF6+2H2O 腐蚀机理： KOH+H2O=K++2(OH)-+H+ Si+2(OH)-+4H2O Si(OH)2- Si(OH)62-+6(CH3)2CHOH=[Si(OC3H7)6]2-+6H2O 。 各向同性刻蚀：单晶硅各个方向上的腐蚀速率是均匀的。 各向同性腐蚀：腐蚀速率取决于晶体取向。 图4.1 (a) 扰动较弱； 图4.1（b）扰动较强; 图4.1 (c) 硅的各向异性腐蚀; 图4.1（d）各向异性腐蚀的一个极端情况，横向腐蚀为零。 图4.1 常用湿法腐蚀的硅孔图形 1. 2 硅体的各向同性刻蚀 腐蚀机理：硝酸硅发生氧化反应生成二氧化硅，然后由HF将二氧化 硅溶解 Si+HNO3+HF=H2SiF6+HNO2+H2O+H2 其中，水和乙酸通常为稀释剂，CH3COOH是弱酸，电离反应为 CH3COOH=CH3COO-+H+ 在HNO3溶液中H+离子浓度高，但CH3COOH可在更广泛的范围内 稀释而保持HNO3的氧化能力，减小H+的浓度使阴极反应变慢，有利 于控制工艺。 图4.2 表面取向对腐蚀速率的影响与温度的关系 线性关系 图4.3 腐蚀速率与腐蚀温度的关系（高HF区，无稀释） 95%HF+5%HNO3 90%HF+10%HNO3 85%HF+15%HNO3 图4.4 腐蚀速率与温度的关系（H2O稀释） 高HNO3 高HF 图4.5 腐蚀速率与成分的关系 图4.6分别用H2O和CH3COOH作为稀释剂的HF-HNO3系统腐蚀硅的等腐蚀线。共同点： （1）在低HNO3及高HF区，等腐蚀曲线平行于等HNO3浓度线，该区有过量的HF可溶解反应物SiO2 ，腐蚀速率受HNO3 浓度的控制。 （2）在低HF和高HNO3区，等腐蚀曲线平行于HF浓度线。 （3）当HF：HNO3=1:1，稀释液浓度百分比小于10%时，草原稀释 液从10%～30%，腐蚀速率随秋耕稀释液的增加呈减小；稀释液大于30%后，稀释的微小变化会引起腐蚀速率的很大变化。 图4.6 硅的等腐蚀线（HF：HNO3：稀释液） 表4.1 在室温下HNA系统硅的各向同性腐蚀 腐蚀剂 HF HNO3 CH3COOH 说明 掩模 腐蚀速率 10 30 8 N或P＜1017/cm3 速率为原1/150 SiO2，nm/min 0.7～3 25 50 25 同上 Si3N4 4.0 9 75 30 同上 SiO2,70nm/min 7.0 5 15 3 抛光 平面腐蚀 2 15 5 一般腐蚀 10 5 4 抛光 CP-4 3 5 3 快速抛光 6 100 40 低腐蚀速率 B 1 40 15 Dash 1 3 10 White 1 9 抛光 1. 3 硅体的各向异性刻蚀 腐蚀机理：某种晶体取向上硅的腐蚀速率非常快，而在其他方向 上腐蚀速率又非常慢。 最常用的（100）/(111)腐蚀速率比最大的是KOH腐蚀液。用 KOH腐蚀液腐蚀单晶硅晶体，其在3个常用晶面方向上的腐蚀速率 情况是（100）＞（110）＞（111）。而（100）/(111)的最大腐 蚀速率可达400:1。 表4.2 硅体常用的各向异性腐蚀剂 腐蚀剂 配比 温度/0C (100)面腐蚀率/(um/min) (100)/(111)腐蚀速率比 特点 KOH+水 44g+100ml 85 1.4 400:1 ≥1020cm-3硼掺杂，R降为原来1/20 KO