第三章无机电致发光器件探究.pdf

第三章无机电致发光器件 3.1 ELD (electroluminescence device)概述 3.2 分散型ELD的结构和原理 3.3 薄膜型ELD的制备和原理 3.4 陶瓷厚膜为绝缘介质的电致发光器件 3.5 LED的结构、发光基本原理和应用 重点: TFELD的结构和原理 难点: 高场下无机电致发光器件的发光原理 无机类EL材料和显示器分类 3.1 ELD概述 ? 3.1.1 电致发光(EL) ：指半导体，主要是荧光体在 外加电场作用下的自发光现象。 ? 3.1.2 ELD的历史: 1936年—法国的Destriau就发现EL现象。 1950年— Sylvania公司开发成功分散型EL元件。 1983年—日本开始薄膜ELD的批量生产。 ? 3.1.3 ELD分类： ? 按结构：分散型EL和薄膜型EL。前者的发光 层以粉末荧光体的形式构成。后者的发光层以 致密的荧光体薄膜构成。 ? 按驱动方式：交流驱动型EL和直流驱动型 EL。 ? 以上可以排列组合出四种EL元件的类型。 ? 以上四种EL器件的特征如下图所示。 ? 3.1.4 ELD的特征： ① 视角大，无闪烁。 ② 图像显示质量高。 ③ 工作温度范围宽；受温度变化的影响小。 ④ 是全固体显示元件。 ⑤ 有小功耗、薄型、质轻等特征。 3.2分散型ELD的结构和原理 3.2.1.分散型交流ELD 1) 分散型交流ELD基本结构： ①基板为ITO(In2O3:SnO2~10%重量 比，导电：几十?? ，透光率： 85%)玻璃板或柔性塑料板。 ②发光层由荧光体粉末分散在有机 粘结剂中做成。 ③荧光体粉末：ZnS:Cu,Cl, 或Mn 原子等，可得到不同的发光色。 ④粘结剂中采用介电常数比较高的 有机油如氰乙基纤维素等。 ⑤介电质层：防止绝缘层被破坏。 ⑥背面电极：Al。 2) 分散型交流ELD发光机制： Fischer模型： ?ZnS荧光体粉末的粒径:5－30μm。通 常在一个ZnS颗粒中会存在点缺陷及 线缺陷。电场在ZnS颗粒内会呈非均 匀分布，造成的发光状态也不会相 同。 ?当观察一个ZnS颗粒时，发光先从若 干孤立的点开始，随着电场增加，两 点的发光逐渐延伸，相互靠近，汇合 成彗星状的发光。 ? 在ZnS颗粒内沿线缺陷会有Cu析出，形成电导率较大的CuxS(P 型或金属电导状态)， CuxS与ZnS形成异质结。 ? 当施加电压时．CuxS/ZnS界面上会产生高于平均场强的电场强 度(105-106v/cm)。使位于界面能级的电子通过隧道效应向ZnS内 注入，与发光中心捕获的空穴发生复合，产生发光。 ? 当发光中心为Mn时，如上所述发生的电子与这些发光中心碰撞 使其激发．引起EL发光。 1. 亮度L与电压间的关系为 L0与V0分别为常数，其 数值的大小与荧光体的 粒径，活化剂及共活化 剂的浓度，发光层的厚 度，有机粘结剂的介电 常数等相关。 2. 发光效率随电压的增加,先 是增加而后减小。发光 效率的最大值一般可从 亮度出现饱和趋势的电 压区域得到。 3) 分散型交流ELD的亮度－电压特性及发光效率－电压特性 ])/(exp[ 2 1 00 VVLL ?? 3.2.2.分散型直流ELD 1) 分散型直流ELD基本结 构： ① ITO玻璃基板。 ② 包铜处理：将ZnS荧光体 浸在Cu2SO4溶液中进行 热处理，使其表面产生具 有电导性的CuxS层。 ③ 将ZnS:Cu, Mn荧光体粉末 与少量粘结剂的混合物在 其上均匀涂布，厚度为 30-50μm。 ④ 背面电极：Al。 1. ITO：正极。AL：负极。 2. 在定形化处理过程中Cu2+离子会从透明电极附近的荧 光体粒子向AL电极一侧迁移。 2) 分散型直流ELD发光机制 3.结果在透明电极一侧会出现没有CuxS包覆的电 阻率高的ZnS层(脱铜层)。 4.外加电压的大部分会作用在脱铜层上，在该层 中形成106V/cm的强电场。 5.在此强电场作用下，会使电子注入到ZnS层中， 经电场加速，成为过热电子。 6.过热电子直接碰撞Mn2+会引起其激发，引发EL 发光。 ? L-V特性和?-V同分散型交流 ELD。 ? 直流驱动: V=100V, L=500cd/m2。 ? 占空比1%的脉冲波形电压驱 动：亮度等同直流驱动。 ? ?＝0.5-1lm/W。 3) 分散型直流ELD亮度-电压特性及发光效率-电压特性 ? 3.3 薄膜型ELD的制备和原理 3.3.1薄膜型交流ELD(ACTFELD) 1) 薄膜型交流ELD基本结构： 在玻璃基板上依次积层透明电极(ITO)，第一绝缘层， 发光层，第二绝缘层，背光电极(Al)等。发光层厚0.5- 1μm，绝缘层厚0.3-0.5μm，全膜厚只有2μm左右。 2) 绝缘层作用-保