MOSFETdatasheet参数理解及其主要特性.doc

Ⅱ MOSFET datasheet参数理解及其主要特性 一、场效应管的参数很多，一般datasheet都包含如下关键参数： 1 极限参数： ID：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。 IDM：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。 PD：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。 VGS：最大栅源电压。 Tj：最大工作结温。通常为150℃或175℃，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。 TSTG：存储温度范围。 2 静态参数 V(BR)DSS ：漏源击穿电压。是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。 V(BR)DSS/△Tj：漏源击穿电压的温度系数，一般为0.1V/℃。 RDS(on)：在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。 VGS(th)：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。 IDSS ：饱和漏源电流，栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流。一般在微安级。 IGSS ：栅源驱动电流或反向电流。由于MOSFET输入阻抗很大，IGSS一般在纳安级。 3 动态参数 gfs：跨导。是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。gfs与VGS的转移关系图如图2所示。 Qg：栅极总充电电量。MOSFET是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的，下面将有此方面的详细论述。 Qgs：栅源充电电量。 Qgd：栅漏充电（考虑到Miller效应）电量。 Td(on)：导通延迟时间。从有输入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间(参考图4)。 Tr：上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间。 Td(off)：关断延迟时间。输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间。 Tf：下降时间。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间(参考图4)。 Ciss：输入电容，Ciss= CGD + CGS （ CDS短路）。 Coss：输出电容。Coss = CDS +CGD 。 Crss：反向传输电容。Crss = CGD 。 图2 MOSFET的极间电容 图3结电容与漏源电压之关系曲线 4 雪崩击穿特性参数 这些参数是MOSFET在关断状态能承受过压能力的指标。如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态。 EAS：单次脉冲雪崩击穿能量。这是个极限参数，说明MOSFET所能承受的最大雪崩击穿能量。 IAR：雪崩电流。 EAR：重复雪崩击穿能量。 5热阻 ：结点到外壳的热阻。它表明当耗散一个给定的功率时，结温与外壳温度之间的差值大小。公式表达⊿t = PD*。 ：外壳到散热器的热阻，意义同上。 ：结点到周围环境的热阻，意义同上。 6 体内二极管参数 IS：连续最大续流电流（从源极）。 ISM：脉冲最大续流电流（从源极）。 VSD：正向导通压降。 Trr：反向恢复时间。 Qrr：反向恢复充电电量。 Ton：正向导通时间。（基本可以忽略不计）。 图3 gfsVGS曲线图 图4 MOSFET开通时间和关断时间定义 二、在应用过程中，以下几个特性是经常需要考虑的： V（BR）DSS的正温度系数特性。这一有异于双极型器件的特性使得其在正常工作温度升高后变得更可靠。但也需要留意其在低温冷启机时的可靠性。 V（GS）th的负温度系数特性。栅极门槛电位随着结温的升高会有一定的减小。一些辐射也会使得此门槛电位减小，甚至可能低于0电位。这一特性需要工程师注意MOSFET在此些情况下的干扰误触发，尤其是低门槛电位的MOSFET应用。因这一特性，有时需要将栅极驱动的关闭电位设计成负值（指N型，P型类推）以避免干扰误触发。 VDSon/RDSon的正温度系数特性。VDSon/RDS