第4章 离子注入 - 寻材问料 让天下没有难找的材料.pptVIP

离子注入;内容;什么是离子注入 离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质,掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定 ;离子注入特点;Advantages of Ion Implantation;离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有电活性。;R：射程（range） 离子在靶内的总路线长度 Xp：投影射程（projected range） R在入射方向上的投影;?Rp：标准偏差（Straggling），任何一个注入离子在靶内所受到的碰撞是一个随机过程。相同质量且相同初始能量的离子有一空间分布，投影射程的统计涨落称为投影偏差（标准偏差）,即投影射程的平均偏差 ?R?：横向标准偏差（Traverse straggling）, 垂直于入射方向平面上的标准偏差。;LSS理论——对在非晶靶中注入离子的射程分布的研究;核碰撞：能量为E的一个注入离子与靶原子核碰撞，离子能量转移到原子核上，结果将使离子改变运动方向，而靶原子核可能离开原位，成为间隙原子核，或只是能量增加。;核阻止本领;能量损失率与离子能量的关系;电子碰撞;-dE/dx：能量损失梯度 E：注入离子在其运动路程上任一点x处的能量 Sn(E)：核阻止本领 Se(E)：电子阻止本领 N: 靶原子密度 ～5?1022 cm-3 for Si;As,P,B在硅中核、电子阻止本领与能量关系计算值;低能区;表面处晶格损伤较小;射程粗略估计;EOR damage;6.3.1 纵向分布;能量损失与射程R;纵向分布 ;离子注入到无定形靶中的高斯分布情况;注入离子在无定形靶中的分布;注入离子在无定形靶中的分布;6.3.2横向效应;横向效应;横向分布;横向效应;35 keV As注入;注入离子在靶中的分布计算软件;碰撞几率及注入离子分布;碰撞几率及注入离子分布;110;Silicon Lattice Viewed Along 110 Axis;Ion Entrance Angle and Channeling;沟道效应; ;浓度分布 由于沟道效应的存在，在晶体中注入将偏离LSS理论在非晶体中的高斯分布，浓度分布中出现一个相当长的“尾巴”;表面非晶层对于沟道效应的作用;减少沟道效应的措施;沟道效应的防止方法;浅结的形成;实际上高能离子入射到衬底时，一小部分与表面晶核原子弹性散射，而从衬底表面反射回来，未进入衬底，这叫背散射现象. ;纵向分布;注入离子的真实分布;晶格损伤：高能离子注入硅片后与靶原子发生一系列碰撞，可能使靶原子发生位移，被位移原子还可能把能量依次传给其它原子，结果产生一系列的空位－间隙原子对及其它类型晶格无序的分布。这种因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为晶格损伤。;高能离子在靶内与晶格多次碰撞，从而导致靶的晶格损伤。 碰撞有弹性碰撞和非弹性碰撞。 注入离子通过碰撞把能量传递给靶原子核及其电子的过程，称为能量淀积过程。;移位原子：因碰撞而离开晶格位置的原子。 移位阈能Ed：使一个处于平衡位置的原子发生移位，所需的最小能量. (对于硅原子, Ed?15eV) 碰撞中，当转移能量EEd移位阈能时，靶原子位移；若移位原子能量2Ed时，移位原子再碰撞其它原子，使其它原子再位移，这种现象称级联碰撞。 ;移位原子的估算;损伤特点 ;重离子每次碰撞传输给靶的能量较大，散射角小，获得大能量的位移原子还可使许多原子移位。注入离子的能量损失以核碰撞为主。同时，射程较短，在小体积内有较大损伤。重离子注入所造成的损伤区域小，损伤密度大。;简单晶格损伤;非晶的形成;6.4.3非晶化（Amorphization）;离子注入工艺技术;离子注入工艺技术;Controlling Dopant Concentration and Depth;;;注入离子剂量;6.5热退火;在某一高温下保持一段时间，使杂质通过扩散进入替位，有电活性；并使晶体损伤区域“外延生长”为晶体，恢复或部分恢复硅的迁移率，少子寿命。 退火效果(q/NA,μ,τ)，与温度，时间有关。一般温度越高、时间越长退火效果越好。 退火后出现靶的杂质再分布。;Annealing of Silicon Crystal;退火作用、条件、方法;损伤退火 （Damage Annealing）;损伤退火的目的; 一定温度下，通常在Ar、N2或真空条件下,热处理 退火温度/时间/方式取决于注入剂量,靶温及非晶层的消除等不同条件而定。 修复晶格：退火温度600 oC以上，时间最长可达数小时 杂质激活：退火温度650－900 oC，时间10－30分钟