1.3半导体中载流子统计分布.pptVIP

1.3 半导体中载流子的统计分布;热激发（本征）;半导体的导电性;费米和玻耳兹曼分布f(E);1.3.1 状态密度;2.状态密度;(2)价带顶附近;1.3.2 费米能级和载流子的统计分布;EF：费米能级或费米能量，与温度、半导体材料的导电 类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关。;(2)费米分布函数 f(E)的特性;一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态 基本上没有被电子占据，而能量小于费米能级的量子态基本上 为电子所占据，而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是 1/2。（E－EF5k0T, f(E)0.007; E－EF-5k0T, f(E)0.993 ） 费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况, （通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平）。EF高，则说明有较多的能量较高的量子态上有电子。 T升高，电子占据能量小于费米能级的量子态的概率下降，而占据能量大于费米能级的量子态的概率增大。 ;费米和玻耳兹曼分布f(E);对导带而言：;简单能带;(1)非简并情况下，导带中电子浓度;令;x’取值：导带宽度典型值为1~2eV，目前对一般半导体器件 有兴趣的最高温度为500K;;;非简并性系统：服从玻耳兹曼统计律的电子系统 简并性系统：服从费米统计律的电子系统;;导带中电子浓度为： ;(2)非简并情况下，价带中空穴浓度;小结 :;本征半导体的载流子浓度;n0=p0;讨论:;本征载流子浓度 ：;将Nc，Nv表达式代入 ;;1.3.4 杂质半导体的载流子浓度;;;讨论： 杂质能级与费米能级的相对位置明显反映了电子和空穴占据杂质能级的情况。 当 说明了什么？ 当 重合时， ，即施主杂质有1/3电离，还有2/3没有电离。 同理，当EF远在EA之上时，受主杂质几乎全部电离；当EF远在EA之下时，受主杂质基本上没有电离；当EF等于EA时，受主杂质有1/3电离，2/3没有电离。;硅的费米能级与温度及杂质浓度的关系;讨论： 杂质半导体的载流子浓度和费米能级由温度和杂质浓度所决定。 ( 与本征区别) 对于杂质浓度一定的半导体，随着温度的升高，载流子则是从以杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源的过程，EF从杂质能级附近→禁带中线处。 温度一定时，费米能级的位置由杂质的种类和浓度决定，费米能级的位置反映导电类型和掺杂水平。;不同掺杂情况下的费米能级;平衡态的费米能级见教材P18